사용자:Calix2001/작업장

위키백과, 우리 모두의 백과사전.

반도체 제조 공정에서 반도체에 대한 국제 기술 로드맵(ITRS)은 5 nm 공정을 7 nm 공정 다음의 MOSFET 기술 노드로 정의한다. 삼성전자TSMC는 2020년에 애플마벨, 화웨이, 퀄컴 등의 고객사에 공급할 5 nm 칩의 대량 생산에 들어갔다.[1][2]

"5 나노미터"라는 용어는 트랜지스터의 실제 물리적 특성(예: 게이트 길이나 금속 피치, 게이트 피치 등)과는 관련이 없다. 증가된 트랜지스터의 밀도나 속도, 감소된 전력 대 성능비 측면에서 새롭고 향상된 실리콘 반도체 칩 공정의 세대를 지칭하기 위해 파운드리 업계에서 사용하는 상업적 마케팅 용어이다. [3][4]

5 nm 공정 노드[편집]

삼성[5] TSMC[6] 인텔[7]
공정 이름 5LPE N5 Intel 4
트랜지스터 밀도 (MTr/mm2) 127 171.3[7] ~200
SRAM의 비트셀 크기 (μm2) 0.026 0.017~0.019 Unknown
트랜지스터 게이트 간격 (nm) 57 48 Unknown
시험 양산(Risk production) 연도 2018 2019 2022
최초 제품 출하 연도 2020[8] 2020[9] 2023

5 nm 이후[편집]

3 nm 공정은 5 nm의 다음 세대의 반도체 공정을 일컫는 보편적인 용어이다. 2021년 기준으로 TSMC는 N3를 2022년 하반기에 출시할 계획이며, 삼성전자인텔은 2023년 중 양산을 목표로 하고 있다.[10][11][7]

삼성전자의 경우 3 nm 공정에서 MBCFET이라는 자체 변형 GAAFET을 타사보다 조기 도입할 예정이며, TSMC와 인텔은 3 nm 공정까지는 FinFET을 사용하고 2 nm 공정에서 도입할 예정이다.[12]

각주[편집]

  1. Dr. Ian Cutress (2020년 8월 25일). “‘Better Yield on 5nm than 7nm’: TSMC Update on Defect Rates for N5”. 《아난드텍》. 2020년 8월 28일에 확인함. 
  2. “Marvell and TSMC Collaborate to Deliver Data Infrastructure Portfolio on 5nm Technology”. 《hpcwire》. 2020년 8월 25일. 2020년 8월 28일에 확인함. 
  3. Dave James (2019년 9월 10일). “TSMC’s 7nm, 5nm, and 3nm “are just numbers… it doesn’t matter what the number is". 《pcgamesn》. 2020년 4월 20일에 확인함. 
  4. Moore, Samuel (2020년 7월 21일). “A Better Way to Measure Progress in Semiconductors: It's time to throw out the old Moore's Law metric”. 《IEEE Spectrum》 (영어) (IEEE). 2021년 4월 20일에 확인함. 
  5. “7nm, 5nm and 3nm Logic, current and projected processes”. 《semiwiki》. 2021년 9월 2일에 확인함. 
  6. David Schor (2019년 4월 6일). “TSMC Starts 5-Nanometer Risk Production”. 《wikichip fuse》. 2019년 4월 7일에 확인함. 
  7. Dr. Ian Cutress (2021년 7월 26일). “Intel's Process Roadmap to 2025: with 4nm, 3nm, 20A and 18A?!”. 《아난드텍》. 2021년 7월 27일에 확인함. 
  8. Andrei Frumusanu (2020년 11월 12일). “Samsung Announces Exynos 1080 - 5nm Premium-Range SoC with A78 Cores”. 《아난드텍》. 2021년 9월 2일에 확인함. 
  9. Andrei Frumusanu (2020년 9월 15일). “Apple Announces 5nm A14 SoC - Meagre Upgrades, Or Just Less Power Hungry?”. 《아난드텍》. 2021년 9월 2일에 확인함. 
  10. Anton Shilov (2021년 4월 26일). “TSMC Update: 2nm in Development, 3nm and 4nm on Track for 2022”. 《아난드텍》. 2021년 7월 27일에 확인함. 
  11. Anton Shilov (2021년 7월 9일). “Samsung: Deployment of 3nm GAE Node on Track for 2022”. 《아난드텍》. 2021년 7월 27일에 확인함. 
  12. Nancy Cohen (2019년 5월 18일). “Samsung at foundry event talks about 3nm, MBCFET developments”. 《TechXplore》. 2021년 9월 2일에 확인함.