350 nm 공정

위키백과, 우리 모두의 백과사전.
이동: 둘러보기, 검색
반도체 제조 공정
v  d  e  h

350 nm(나노미터) 공정 또는 0.35 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 350 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1995년에서 1996년 경 인텔, IBM과 같은 반도체 회사가 달성하였다.

350 나노미터 제조 공정을 적용한 제품[편집]