22 nm 공정

반도체 소자 제조
MOSFET 스케일링 (공정 노드)
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020
미래 003 nm – ~2022 002 nm – ~2023<
하프 노드 집적도 CMOS 소자 (멀티게이트) 무어의 법칙 반도체 산업 나노전자

22 nm(나노미터) 공정은 회로선 폭이 22 nm인 반도체를 다루는 반도체 제조 공정이다.

22 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서

• 인텔 3세대 코어 프로세서 아이비브리지.
• 인텔 4세대 코어 프로세서 하스웰,
• 인텔 B365 칩셋,