22 nm 공정

반도체 제조 공정
10 µm : 1971년 3.0 µm : 1975년 1.5 µm : 1982년 1.0 µm : 1985년 800 nm (0.80 µm) : 1989년 600 nm (0.60 µm) : 1994년 350 nm (0.35 µm) : 1995년 250 nm (0.25 µm) : 1998년 180 nm (0.18 µm) : 1999년 130 nm (0.13 µm) : 2000년 90 nm : 2002년 65 nm : 2006년 45 nm : 2008년 32 nm : 2010년 22 nm : 2011년 14 nm : 2014년 10 nm : 2017년 7 nm  : 2020년 5 nm : 2023년

22 nm(나노미터) 공정은 회로선 폭이 22 nm인 반도체를 다루는 반도체 제조 공정이다.

22 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서

• 인텔 3세대 코어 프로세서 아이비브리지.
• 인텔 4세대 코어 프로세서 하스웰.