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1.5 µm 공정

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반도체 소자 제조

MOSFET 스케일링 (공정 노드)
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022 002 nm – 2025
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1.5 µm 공정(1.5 마이크로미터 공정)은 1981년–1982년경 인텔 및 IBM과 같은 회사에서 도달한 MOSFET 반도체 공정 기술 수준이다.

1.5 µm 공정은 안정적으로 생산할 수 있는 최소 크기를 의미한다. 이 공정으로 만들어진 칩의 가장 작은 트랜지스터 및 기타 회로 요소는 폭이 약 1.5마이크로미터였다.

1.5 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품

NEC의 64 kbit SRAM 메모리 칩은 1981년에 1.5 µm 공정을 도입했다.^[1]
1982년에 출시된 인텔 80286 CPU는 이 공정을 사용하여 제조되었다.^[2]
인텔은 1983년에 1.5 µm CMOS 공정을 사용하여 64 kbit DRAM 메모리 칩을 도입했다.^[3]
리코 RF5C164는 1991년에 출시된 메가 CD 비디오 게임 콘솔에 사용된 1.5 µm 실리콘 게이트 CMOS 사운드 칩이다.^[4]
아미가 고급 그래픽 아키텍처 (1992년 처음 판매됨)에는 1.5 µm CMOS 공정을 사용하여 제조된 Lisa와 같은 칩이 포함되었다.^[5]
인텔은 HMOS-III 기술에 1.5마이크론 공정을 사용했다.^[6]
인텔은 HMOS II-E 기술에 1.4마이크론 공정을 사용했다.^[7]
인텔은 CHMOS III 기술에 1.5마이크론 공정을 사용했다.^[8]^[9]

각주

↑ “Memory”. 《STOL (Semiconductor Technology Online)》. 2019년 6월 25일에 확인함.
↑ “History of the Intel Microprocessor - Listoid”. 2015년 4월 27일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2015년 4월 19일에 확인함.
↑ Gealow, Jeffrey Carl (1990년 8월 10일). “Impact of Processing Technology on DRAM Sense Amplifier Design” (PDF). 매사추세츠 공과대학교. 149–166쪽. 2019년 6월 25일에 확인함 – CORE 경유.
↑ 《Mega-CD Hardware Manual: PCM Sound Source》 (PDF). 세가. 1991년 10월 14일. 2020년 11월 14일에 확인함.
↑ “Amiga Manual: Amiga 3000+ System Specification 1991”.
↑ Intel Corporation, "New Product Focus Components: 80286 Workhorses: Twice As Fast", Solutions, July/August 1985, Page 17
↑ Intel Corporation, "NewsBit: Three New Pinouts For One-Megabit EPROMs Announced", Solutions, January/February 1986, Page 1
↑ Rant, Jon; "CHMOS: Matching Process to Product", Intel Corporation, Solutions, January/February 1986, Page 17
↑ Ormsby, Jon, Editor, "New Product Focus: Components: 82526 Works Magic Under The Hood", Intel Corporation, Microcomputer Solutions, May/June 1988, page 10

외부 링크

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