삼성 엑시노스
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엑시노스(Exynos)는 삼성전자에서 제조하는 애플리케이션 프로세서, 모뎀, RF칩 등의 상표명이다. 이전에 생산되던 허밍버드가 리브랜딩되어 S3C, S5L와 S5P 계열의 AP를 계승한다.[1] 엑시노스는 삼성전자 시스템 LSI 사업부가 개발하고 삼성 파운드리에서 제조한 ARM 기반 시스템 온 칩 시리즈이다.
엑시노스는 삼성의 독점적인 "M" 시리즈 코어 디자인을 특징으로 하는 일부 고급 SoC를 제외하고 대부분 ARM Cortex 코어를 기반으로 한다. 하지만 2021년부터는 주력 고급 SoC에도 ARM Cortex 코어가 탑재된다.
애플리케이션 프로세서
[편집]엑시노스 이전의 AP
[편집]모델명 | 제조 공정 |
명령어 집합 | CPU | GPU | 메모리 기술 | 출시 년도 |
사용한 제품들 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
S5L8900 | 90 nm | ARMv6 | ARM11 620MHz
싱글 코어 |
이매지네이션 테크놀로지 파워VR MBX 라이트 | eDRAM | 2007 | 아이폰, 아이폰 3G, 아이팟 터치 1세대, 아이팟 터치 2세대 |
S3C6410 | 65 nm | ARMv6 | ARM11 533/667/800 MHz 싱글 코어 | 2D / 3D 그래픽가속기 | DDR SDRAM | 2009 | 삼성 GT-i5510 갤럭시 551, 삼성 갤럭시 스피카, 삼성 M910 인터셉트, 삼성 GT-I8000 옴니아 2 |
엑시노스 3
[편집]모델명 | 제조 공정 |
명령어 집합 | CPU | GPU | 메모리 기술 | 통신 | 출시 년도 |
사용한 제품 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
엑시노스 3 싱글 (3110 - S5PC100)[2] | 45 nm | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코덱스-A8 MP1 600 MHz 싱글 코어 | IT 파워VR SGX535 200 MHz | 32-bit 듀얼채널 LPDDR/LPDDR2/DDR2 200 MHz | 2009년 | 아이폰 3GS, 아이팟 터치 3세대 | |
엑시노스 3 싱글 (3110) - (허밍버드(S5PC110/S5PC111))[3] | 45 nm | ARM ARMv7 | ARM 코텍스-A8 MP1 1GHz + ARM 코텍스-A8 MP1 1.2GHz 듀얼 코어 / ARM 홀딩스 코텍스-A8 MP1 1GHz 싱글 코어 | IT 파워VR SGX540 200 MHz | 32-bit 듀얼채널 LPDDR/LPDDR2/DDR2 200 MHz | 2010년 | 삼성 갤럭시 S, 삼성 갤럭시 탭 7, 갤럭시 S Infuse, 갤럭시 S, 갤럭시 U, 갤럭시 K | |
엑시노스 3 듀얼 (3250) | 28nm | ARM 코텍스-A7 MP2 1GHz 싱글 코어 | ARM Mali-400 MP2 400 MHz | 32-bit 듀얼채널 LPDDR/LPDDR2/DDR2 200 MHz | 2010년 | 삼성 기어2, 삼성 기어2 네오, KT 라인 키즈폰, 삼성 기어 핏2 | ||
엑시노스 3 쿼드 (3470, 섀넌222AP)[4][5] | 28 nm HKMG | ARM ARMv7 | ARM 코텍스-A7 MP4 1.4 GHz 쿼드 코어 | ARM 말리-400 MP4 440 MHz | 32-bit 듀얼채널 LPDDR2/LPDDR3 400 MHz | LTE Cat.3/4[6] | 2013년 4분기 | 삼성 갤럭시 라이트, 삼성 갤럭시 윈 LTE, 삼성 갤럭시 S5 미니, 갤럭시 탭4 7.0 LTE |
엑시노스 3 쿼드 (3475) | 28nm | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM Cortex-A7 MP4 1.3GHz 쿼드 코어 | ARM Mali-T720 MP1 667MHz | 32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3 |
Cat.4 (2CH) | 2015년 7월 1일 | 갤럭시 탭 E 8.0, 갤럭시 폴더, 갤럭시 J2, 갤럭시 온5 |
엑시노스 4
[편집]모델명 | 제조 공정 | 명령어 집합 | CPU | GPU | 메모리 기술 | 출시 년도 |
사용한 제품들 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
엑시노스 4 듀얼 45 nm (4210)[7] | 45 nm | ARM ARMv7 | ARM 코텍스-A9 MP2 1.2GHz / ARM 코텍스-A9 MP2 1.4 GHz 싱글 코어 | ARM 말리-400 MP4 266 MHz | 32 비트 듀얼 채널 400MHz (6.4 GB/s) LPDDR2/DDR2/DDR3 |
2011 2분기 | 삼성 갤럭시 S II, 삼성 갤럭시 탭 7.0 플러스 / 갤럭시 S II WiMAX, 갤럭시 노트, 갤럭시 탭 7.7, MX 2-Core |
엑시노스 4 듀얼 32 nm (4212)[8] | 32 nm HKMG | ARM ARMv7 | ARM 코텍스-A9 MP2 1.5 GHz 듀얼 코어 | ARM 말리-400 MP4 440 MHz | 32 비트 듀얼 채널 400MHz (6.4 GB/s) LPDDR2/DDR2/DDR3 |
2011년 4분기 | 갤럭시 S4 줌, 갤럭시 탭3 8.0, MX New 2-Core, 갤럭시 기어 |
엑시노스 4 쿼드 (4412)[9] | 32 nm HKMG | ARM ARMv7 | ARM 코텍스-A9 MP4 1.4GHz / ARM 코텍스-A9 MP4 1.6GHz | ARM 말리-400 MP4 440 ~ 533 MHz | 32 비트 듀얼 채널 400 MHz (6.4 GB/s) LPDDR2/LPDDR3 |
2012년 2분기 | 갤럭시 S III, 갤럭시 카메라, 갤럭시 노트 10.1, 갤럭시 팝, 갤럭시 그랜드, MX 4-Core, Idea PHone K860 |
엑시노스 4 쿼드 (4415) | 28nm HKMG | ARM ARMv7 | ARM Cortex-A9 MP4 1.5 GHz | ARM Mali-400 MP4 533 MHz | 2012년 | 갤럭시 메가 2 |
엑시노스 5
[편집]모델명 | 제조 공정 |
명령어 집합 | CPU | GPU | 메모리 기술 | 통신 | 출시 년도 |
사용한 제품 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
엑시노스 5 듀얼 (5250)[10] | 32 nm HKMG | ARM ARMv7 | ARM 코텍스-A15 MP2 2GHz / ARM 코텍스-A15 MP2 1.7GHz | ARM 홀딩스 말리-T604 (MP4) 533 MHz | 32 비트 듀얼 채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3/DDR3 |
2012년 3분기 | 구글 넥서스 10, 삼성 크롬북 2세대 | |
엑시노스 5 옥타 (5410)[11][12] | 28 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.7 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE CM) | 이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX544MP3 533 MHz | 32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3 |
2013 2분기 | 삼성 갤럭시 S4 I9500/일부 변종, 하드커널 ODROID-XU | |
엑시노스 5 옥타 (5420)[13] | 28 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.9 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE CM) | ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 533 MHz | 32 비트 듀얼 채널 933 MHz (약 14.9 GB/s) LPDDR3 |
2013 3분기 | 삼성 갤럭시 노트 3 N900, 삼성 갤럭시 노트 10.1 2014 에디션 P600/601, 삼성 갤럭시 탭 프로 8.4 T320/321, 삼성 갤럭시 탭 프로 10.1 T520/521, 삼성 갤럭시 탭 프로 12.2 T900/901, 삼성 갤럭시 노트 프로 12.2 P900/901, 삼성 갤럭시 탭 S 8.4 T700, 삼성 갤럭시 탭 S 10.5 T800 | |
엑시노스 5 헥사 (5260)[14] | 28 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.7 GHz 듀얼 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T624 (MP4) 533 MHz | 32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3 |
2014년 1분기 | 삼성 갤럭시 노트 3 네오 N750/7505/7507, 삼성 갤럭시 K 줌 | |
엑시노스 5 옥타 (5422/5800)[15] | 28 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 2.1 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 533 MHz | 32 비트 듀얼 채널 933 MHz (약 14.9 GB/s) LPDDR3/DDR3 |
2014년 1분기 | 삼성 갤럭시 S5 G900H (5422), 삼성 크롬북 2 (5800)[16] | |
엑시노스 5 옥타 (5430)[17] | 20 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 2 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 600 MHz | 32 비트 듀얼 채널 1,066 MHz (약 17.1 GB/s) LPDDR3 |
2014년 8월 13일 | 삼성 갤럭시 알파, 메이주 MX4 Pro |
엑시노스 7
[편집]모델명 | 제조 공정 |
명령어 집합 | CPU | GPU | 메모리 기술 | 통신 | 출시 년도 |
사용한 제품 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
엑시노스 7 옥타 (5433)[18][19] | 20 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM 홀딩스 코텍스-A57 1.9 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T760 MP6 700 MHz | 64 비트 듀얼 채널 1,066 MHz (약 13.2 GB/s) LPDDR3 |
Cat.6, Cat.9 | 2014년 9월 | 삼성 갤럭시 노트 4 N910H/C/U, 삼성 갤럭시 노트 엣지 대한민국 모델, 삼성 갤럭시 탭 S 10.5 대한민국 모델(SM-T805, LTE-A), 삼성 갤럭시 탭 S2 8.0 SM-T715, LTE-A, 삼성 갤럭시 탭 S2 9.7 SM-T815, LTE-A SM-T815 |
엑시노스 7 듀얼 (7270) | 14nm FinFET | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM Cortex-A53 MP2 1 GHz | ARM Mali-T720 MP8 650MHz | 32 비트 듀얼 채널 1,066 MHz (약 17.1 GB/s) LPDDR3 |
Cat.4 | 2016년 10월 | 삼성 기어 S3
삼성 기어 스포츠 |
엑시노스 7 옥타 (7420)[20] | 14 nm FinFET | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM 홀딩스 코텍스-A57 2.1 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T760 MP8 772 MHz | 64 비트 듀얼 채널 1,552 MHz (24.88 GB/s) LPDDR4 |
Cat.9 | 2015년 2월[21] | 삼성 갤럭시 S6, 삼성 갤럭시 S6 엣지, 삼성 갤럭시 노트 5, 삼성 갤럭시 S6 엣지 플러스, 삼성 갤럭시 A8 2016 |
엑시노스 7 쿼드 (7570) | 14nm FinFET | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM Cortex-A53 MP4 1.4 GHz | ARM Mali-720 MP1 700MHz | 32-bit 싱글채널 LPDDR3 667 MHz | Cat.4 (2CH) | 2016년 8월 | 갤럭시 On5⑥
갤럭시 J3⑦ |
엑시노스 7 쿼드 (7578) | 28nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM Cortex-A53 MP4 1.5 GHz | ARM Mali-T720 MP2 700 MHz | 32-bit 듀얼채널 LPDDR3 933MHz | Cat.4 (2CH) | 2016년 | 갤럭시 A3⑥ |
엑시노스 7 옥타 (7580)[22] | 28 nm FinFET | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.6 GHz 옥타 코어 | ARM 홀딩스 말리-T720 MP2 688 MHz | 64 비트 듀얼 채널 933 MHz (14.9 GB/s) LPDDR3 |
Cat.6 | 2015년 2분기 | 삼성 갤럭시 A5,7,9 2016, 삼성 갤럭시 노트 5 네오 갤럭시 뷰 |
엑시노스 7 옥타 (7870)[23] | 28 nm FinFET | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.6 GHz 옥타 코어 | ARM 홀딩스 말리-T720 MP2 700 MHz | 64 비트 듀얼 채널 933 MHz (14.9 GB/s) LPDDR3 |
Cat.6 | 2016년 1분기 | 삼성 갤럭시 J7 2016, 삼성 갤럭시 탭 A 10.1 2016 |
엑시노스 7 옥타 (9610) | 10 nm
FinFET |
ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM 홀딩스 Cortex-A73 2.3GHz 4코어 + ARM 홀딩스 Cortex-A53 1.6GHz 4코어
( Big.Little ) |
ARM 홀딩스 Mali-G72 MP18 656MHz | 64 비트 듀얼 채널 1794 MHz (28.7 GB/s) LPDDR4X |
Cat.13 2CA
Cat.12 3CA |
2017년 4분기 | 갤럭시 A 시리즈 |
엑시노스 9 시리즈
[편집]모델명 | 제조 공정 |
명령어 집합 | CPU | NPU | GPU | 메모리 기술 | 통신 | 출시 년도 |
사용한 제품 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
엑시노스 9 serious (8895)[24] | 10 nm FinFET | ARM ARMv8.2-A | 삼성 엑시노스 M2 MP4 2.3 GHz 쿼드 코어 + ARM Cortex-A53 MP4 1.69 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM Mali-G71 MP20 546 MHz | 32-bit 듀얼채널 LPDDR4X __ MHz | 4G LTE-FDD/TDD Cat.16 (↓ 1 Gbps) // Cat.13 (150 Mbps ↑) & 5 Band 캐리어 어그리게이션 및 VoLTE, 3G DC-HSPA+ & HSPA+ & HSDPA & HSUPA & UMTS 및 3G TD-SCDMA, 2G GSM & EDGE | 2017년 2분기 | 삼성 갤럭시 S8, 삼성 갤럭시 S8 플러스, 삼성 갤럭시 노트 8, Meizu 15+ | |
엑시노스 9 serious (9110) | 10 nm FinFET | ARM Cortex-A53 MP2 1.15 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM Mali-T720 MP1 667 MHz | 32-bit 듀얼채널 LPDDR4X -- MHz | 4G LTE-FDD/TDD Cat.4/5 + 3G WCDMA/TD-SCDMA + 2G GSM | 2018년 8월 | 갤럭시 워치, 갤럭시 워치 액티브, 갤럭시 워치 액티브2, 갤럭시 워치3, 구글 픽셀 워치 | ||
엑시노스 9 serious (9810) | 10 nm FinFET | 삼성 엑시노스 M3 MP4 2.7GHz 쿼드 코어 + ARM Cortex-A55 MP4 1.79GHz 쿼드 코어 | ARM 말리-G72 MP18 572MHz | 64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 1794 MHz | Cat.18 (6CH) | 2018년 1분기 | 삼성 갤럭시 S9, 삼성 갤럭시 S9+, 삼성 갤럭시 노트9, 삼성 갤럭시 노트 10 Lite, 갤럭시 탭 Active 3 | ||
엑시노스 9 serious (9820) | 8 nm FinFET | 삼성 엑시노스 M4 MP2 2.73GHz 듀얼 코어 + ARM Cortex-A75 MP2 2.31GHz 듀얼 코어+ ARM Cortex-A55 1.95GHz 쿼드 코어 | Samsung 1st MP2 NPU | ARM 말리-G76 MP12 702MHz | 64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2093MHz | 4G LTE-FDD/TDD Cat.20+3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA | 2018년 11월 | 갤럭시 S10e, 갤럭시 S10, 갤럭시 S10+, 갤럭시 S10 5G | |
엑시노스 9 serious (9825) | 7 nm FinFET | 삼성 엑시노스 M4 MP2 2.73GHz 듀얼 코어 + ARM Cortex-A75 MP2 2.4GHz 듀얼 코어+ ARM Cortex-A55 MP4 1.95GHz 쿼드 코어 | ARM 말리-G76 MP12 754MHz | 64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2093MHz | 4G LTE-FDD/TDD Cat.20+3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA | 2019년 8월 | 갤럭시 노트10, 갤럭시 노트10+, 갤럭시 F62 | ||
엑시노스 9 serious (9611) | 10 nmm FinFET | ARM Cortex-A73 MP4 2.3GHz 듀얼 코어+ ARM Cortex-A53 MP4 1.7GHz 쿼드 코어 | ARM 말리-G72 MP3 805MHz | 64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 1600 MHz | 4G LTE-FDD/TDD Cat.12·13+3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA | 2019년 9월 | 갤럭시 M30s, 갤럭시 A51, 갤럭시 엑스커버 프로, 갤럭시 탭 S6 lite, 갤럭시 F41, 갤럭시 A50s | ||
엑시노스 9 serious (980) | 8 nm FinFET | ARM Cortex-A77 MP2 2.21GHz 듀얼 코어+ ARM Cortex-A55 MP6 1.79GHz 쿼드 코어 | ARM 말리-G76 MP5 728MHz | 64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2133MHz | 5G NR Sub-6 TDD+4G LTE-FDD/TDD Cat.16·18 +3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA | 2019년 9월 | 삼성 갤럭시 X30, 갤럭시 X30 프로, 갤럭시 A51 5G, 갤럭시 A71 5G | ||
엑시노스 9 serious (990) | 8 nm
FinFET |
ARM ARMv8.2-A | 삼성 엑시노스 M5 MP2 2.73GHz 듀얼 코어 + ARM Cortex-A76 MP2 2.50MHz 듀얼 코어+ ARM Cortex-A55 MP4 2.0GHz 쿼드 코어 | ARM 말리-G77 MP11 850MHz | 64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2750MHz | 2019년 10 | 갤럭시 S20, 갤럭시 S20+, 갤럭시 S20 Ultra, 갤럭시 S20 FE]], 갤럭시 노트20, 갤럭시 노트20 울트라 | ||
엑시노스 9 serious (850) | ARM Cortex-A55 MP8 2GHz 듀얼 코어 | ARM 말리-G52 MP1 1GHz | 64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 1866MHz | 4G LTE-FDD/TDD Cat.7·13 +3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA | 2019년 5 | 갤럭시 A21s, 갤럭시 M12, 갤럭시 A12 Nachos, 갤럭시 엑스커버5, 갤럭시 A13, 리디페이퍼4 | |||
엑시노스 9 serious (880) | 8nm FinFET | ARM ARMv8.2-A | ARM Cortex-A77 MP2 2GHz 듀얼 코어 + ARM Cortex-A55 MP6 1.8GHz 듀얼 코어 | ARM 말리-G76 MP5 ???GHz | 64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2133MHz | 2020년 5월 | Vivo Y51s, Vivo Y70s, Vivo Y70t |
같이 보기
[편집]- 텍사스 인스트루먼트의 OMAP
- 퀄컴의 스냅드래곤
- 화웨이의 하이 실리콘
- 프리스케일 세미컨덕터의 i.MX
- 엔비디아 테그라
- 애플 A4, 애플 A5, 애플 A6, 애플 A7, 애플 A8, 애플 A9
- 애플이 설계한 프로세서
- 미디어텍
각주
[편집]- ↑ Samsung Assigns New Nomenclature to Application Processor Family
- ↑ http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/Exynos/w/solution.html#?v=single
- ↑ “엑시노스 3 싱글 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》. 2016년 8월 15일에 원본 문서에서 보존된 문서.
- ↑ http://www.dt.co.kr/contents.html?article_no=2013111202011132803005
- ↑ http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/Exynos/w/solution.html#?v=modap
- ↑ 엑시노스 브랜드 이전에는 Cat.3, 엑시노스 브랜드로 런칭 후에는 Cat.4 모뎀이 통합된 ModAP다.
- ↑ “엑시노스 4 듀얼 (4210) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》. 2016년 8월 15일에 원본 문서에서 보존된 문서.
- ↑ “엑시노스 4 듀얼 (4212) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》. 2016년 8월 15일에 원본 문서에서 보존된 문서.
- ↑ “엑시노스 4 쿼드 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》. 2016년 8월 15일에 원본 문서에서 보존된 문서.
- ↑ “엑시노스 5 듀얼 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》. 2016년 8월 15일에 원본 문서에서 보존된 문서.
- ↑ “엑시노스 5 옥타 (5410) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》. 2016년 7월 23일에 원본 문서에서 보존된 문서.
- ↑ http://economy.hankooki.com/lpage/industry/201301/e20130110143319120180.html[깨진 링크(과거 내용 찾기)]
- ↑ “엑시노스 5 옥타 (5420) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ “엑시노스 5 헥사 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》. 2016년 6월 4일에 원본 문서에서 보존된 문서.
- ↑ “엑시노스 5 옥타 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ 크롬북에 장착된 모델은 엑시노스 5800이다.
- ↑ “엑시노스 5 옥타 (5430) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ “엑시노스 7 옥타 (5433) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ 갤럭시 노트 4 등에 "엑시노스 5433"이라는 이름으로 적용되었으나, 이후 엑시노스 7 라인업이 발표되면서 코텍스-A57, 코텍스-A53을 사용하는 특성상 엑시노스 7 라인업으로 편입되었다. 7410이라는 이름으로 변경되었다는 루머가 돌았으나 사실이 아니다.
- ↑ “엑시노스 7 옥타 (7420) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 홈페이지》.
- ↑ http://www.hankyung.com/news/app/newsview.php?aid=201502163297g
- ↑ “엑시노스 7 옥타 (7580) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 홈페이지》.
- ↑ “엑시노스 7 옥타 (7870) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 홈페이지》.
- ↑ “엑시노스 9 옥타 (8895) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 홈페이지》.
읽을 거리
[편집]- 英 "왜 우리한테만 절름발이 갤4 판매하나" 데일리메일, 옥타코어 아닌 쿼드코어 탑재 실망 전자신문 2013.3.23
- 갤럭시S4 머리에 '이 칩'이 들어간 진짜 이유 자체 '엑시노스5410' 발열·성능 문제 발목 전자신문 2013.3.25