DDR3 SDRAM

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전자 공학에서 DDR3 SDRAM은 컴퓨터와 다른 디지털 회로 장치에서 데이터를 빠르게 처리하는 데 쓰이는 램 기술이다. 디램 가운데 하나인 SDRAM계 기술의 일부이며, 이전 기술인 DDR2 SDRAM 제품보다 동작속도, 전력소모 등이 뛰어나다. 삼성전자가 2005년 업계최초로 개발하였다.

DDR3의 주된 이점은 입출력 버스를 메모리 셀의 속도보다 4배나 빠르게 동작할 수 있다는 점이며, 이로써 이전의 메모리 기술보다 더 빠른 버스 속도를 구현할 수 있다. 다만 더 빠른 버스 속도와 스루풋레이턴시를 늘리는 결과를 낳아 전반적인 속도가 떨어질 수 있다. 또한, DDR3은 512 메가비트부터 8 기가비트까지의 칩 용량을 표준으로 지정해 놓고 있다. 따라서 최대 16 기가바이트의 메모리 모듈을 사용할 수 있다.

규격 표준[편집]

표준 이름

 

메모리 클럭

(MHz)

순환 시간

(ns)

입출력 버스 클럭

(MHz)

데이터 속도

(MT/s)

모듈 이름

 

최고 전송 속도

(Mb/s)

타이밍

(CL-nRCD-nRP)

DDR3-800D
DDR3-800E
100 10 400 800 PC3-6400 6400 5-5-5
6-6-6
DDR3-1066E
DDR3-1066F
DDR3-1066G
133 71/2 533 1066 PC3-8500 8533 6-6-6
7-7-7
8-8-8
DDR3-1333F*
DDR3-1333G
DDR3-1333H
DDR3-1333J*
166 6 667 1333 PC3-10600 10667 7-7-7
8-8-8
9-9-9
10-10-10
DDR3-1600G*
DDR3-1600H
DDR3-1600J
DDR3-1600K
200 5 800 1600 PC3-12800 12800 8-8-8
9-9-9
10-10-10
11-11-11
DDR3-1866J*
DDR3-1866K
DDR3-1866L
DDR3-1866M*
233 42/7 933 1866 PC3-14900 14933 10-10-10
11-11-11
12-12-12
13-13-13
DDR3-2133K*
DDR3-2133L
DDR3-2133M
DDR3-2133N*
266 33/4 1066 2133 PC3-17000 17066 11-11-11
12-12-12
13-13-13
14-14-14

별표(*)는 선택 사항이다.

변종[편집]

DDR3L / DDR3U 확장[편집]

DDR3L(DDR3 Low Voltage) 표준은 JESD79-3 DDR3 메모리 장치 표준에서 저전압 장치를 규정한다. DDR3L 표준은 1.35 V이며 모듈에 PC3L 레이블이 붙는다.

DDR3U(DDR3 Ultra Low Voltage) 표준은 1.25 V이며 모듈에 PC3U 레이블이 붙는다.

JEDEC 솔리드 스테이트 기술 협회는 2010년 7월 26일에 JEDEC DDR3L의 출판을 발표하였다.[1]

같이 보기[편집]

각주[편집]

바깥 고리[편집]