삼성 엑시노스

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삼성 갤럭시 S III에 장착된 엑시노스 4 쿼드 (4412)

엑시노스(Exynos)는 삼성전자에서 제조하는 애플리케이션 프로세서, 모뎀, RF칩 등의 상표명이다.

이전에 생산되던 S3C, S5L와 S5P 계열의 AP를 계승한다.

애플리케이션 프로세서

엑시노스 이전의 AP

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	GPU	메모리 기술	출시 년도	사용한 제품들
S5L8900	90 nm	ARMv6	ARM11 620MHz 싱글 코어 ARM11 412 MHz 싱글 코어	이매지네이션 테크놀로지 파워VR MBX 라이트	eDRAM	2007	아이폰, 아이폰 3G, 아이팟 터치 1세대, 아이팟 터치 2세대
S3C6410	65 nm	ARMv6	ARM11 533/667/800 MHz 싱글 코어	2D / 3D 그래픽가속기	DDR SDRAM	2009	삼성 GT-i5510 갤럭시 551, 삼성 갤럭시 스피카, 삼성 M910 인터셉트, 삼성 GT-I8000 옴니아 2

엑시노스 3

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	GPU	메모리 기술	통신	출시 년도	사용한 제품
엑시노스 3 싱글 (3110, S5PC100)	45 nm	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A8 아키텍처 최대 833 MHz 싱글 코어	이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX535 150 MHz	DDR SDRAM, LPDDR2, DDR2		2009	아이폰 3GS, 아이팟 터치 3세대
엑시노스 3 싱글 (3110) (허밍버드(S5PC110/111))	45 nm	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A8 최대 1 GHz 싱글 코어	이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX540 200 MHz	32 비트 듀얼채널 200 MHz (3.2 GB/s) LPDDR1/LPDDR2		2010	삼성 갤럭시 S, 삼성 갤럭시 탭, 구글 넥서스 S, 삼성 웨이브 II, 삼성 Exhibit 4G, 메이주 M9
엑시노스 3 쿼드 (3470, 섀넌222AP)	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.4 GHz 쿼드 코어	ARM 홀딩스 말리-400 MP4 440 MHz	32 비트 듀얼 채널 400 MHz (6.4 GB/s) LPDDR2/LPDDR3	LTE Cat.3/4	2013년 4분기	삼성 갤럭시 라이트, 삼성 갤럭시 윈 대한민국 모델, 삼성 갤럭시 S5 미니
엑시노스 3 듀얼 (3250, 웨어러블 전용 AP)	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1 GHz 쿼드 코어	ARM 홀딩스 말리-400 MP? ??? MHz	32비트 듀얼 채널 ? MHz LPDDR2		2014년 1분기	삼성 기어 2/기어 2 네오, 삼성 기어 S
엑시노스 3 쿼드 (3475)	28nm	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 Cortex-A7 1.2GHz 쿼드 코어	ARM Mali-T720 MP1 667MHz	32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3	Cat.4 (2CH)	2015년 7월 1일	갤럭시 J1 (2016) 갤럭시 탭 E 8.0 갤럭시 폴더 갤럭시 J2 갤럭시 On5

엑시노스 4

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	GPU	메모리 기술	출시 년도	사용한 제품들
엑시노스 4 듀얼 45 nm (4210)	45 nm	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A9 최대 1.4 GHz 듀얼 코어	ARM 홀딩스 말리-400 MP4 266 MHz	32 비트 듀얼 채널 400 MHz (6.4 GB/s) LPDDR2/LPDDR3	2011 2분기	삼성 갤럭시 S II, 삼성 갤럭시 탭 7.0 플러스, 삼성 갤럭시 노트 N7000, 삼성 갤럭시 탭 7.7, Hardkernel ODROID-A, 메이주 MX 2-core (2011년형), FXI Tech Cotton Candy, 단종
엑시노스 4 듀얼 32 nm (4212)	32 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A9 최대 1.5 GHz 듀얼 코어	ARM 홀딩스 말리-400 MP4 440 MHz	32 비트 듀얼 채널 400 MHz (6.4 GB/s) LPDDR2/LPDDR3	2011년 4분기	메이주 MX 2-core (신형), 삼성 갤럭시 탭 3 8.0 , 갤럭시 s4 zoom
엑시노스 4 쿼드 (4412)	32 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A9 쿼드 코어 최대1.6 GHz	ARM 홀딩스 말리-400 MP4 440/533 MHz	32 비트 듀얼 채널 400 MHz (6.4 GB/s) LPDDR2/LPDDR3	2012년 2분기	삼성 갤럭시 S III I9300/9305/일부 변종, 삼성 갤럭시 노트 10.1, 삼성 갤럭시 노트 II N7100/7105/일부 변종, 메이주 MX 4 Core, 하드커널 ODROID-X, 삼성 갤럭시 노트 8.0, 삼성 갤럭시 카메라, 삼성 갤럭시 NX, 삼성 갤럭시 카메라 2
엑시노스 4 쿼드 (4415)	28nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM Cortex-A9 MP4 1.5 GHz	ARM Mali-400 MP4 533 MHz	32-bit 듀얼채널LPDDR, LPDDR2, DDR2 or DDR3 400MHz	2012년	갤럭시 메가 2

엑시노스 5

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	GPU	메모리 기술	통신	출시 년도	사용한 제품
엑시노스 5 듀얼 (5250)	32 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.7 GHz 듀얼 코어	ARM 홀딩스 말리-T604 (MP4) 533 MHz	32 비트 듀얼 채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3/DDR3		2012년 3분기	구글 넥서스 10, 삼성 크롬북 2세대
엑시노스 5 옥타 (5410)	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.7 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE CM)	이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX544MP3 533 MHz	32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3		2013 2분기	삼성 갤럭시 S4 I9500/일부 변종, 하드커널 ODROID-XU
엑시노스 5 옥타 (5420)	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.9 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE CM)	ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 533 MHz	32 비트 듀얼 채널 933 MHz (약 14.9 GB/s) LPDDR3		2013 3분기	삼성 갤럭시 노트 3 N900, 삼성 갤럭시 노트 10.1 2014 에디션 P600/601, 삼성 갤럭시 탭 프로 8.4 T320/321, 삼성 갤럭시 탭 프로 10.1 T520/521, 삼성 갤럭시 탭 프로 12.2 T900/901, 삼성 갤럭시 노트 프로 12.2 P900/901, 삼성 갤럭시 탭 S 8.4 T700, 삼성 갤럭시 탭 S 10.5 T800
엑시노스 5 헥사 (5260)	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.7 GHz 듀얼 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)	ARM 홀딩스 말리-T624 (MP4) 533 MHz	32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3		2014년 1분기	삼성 갤럭시 노트 3 네오 N750/7505/7507, 삼성 갤럭시 K 줌
엑시노스 5 옥타 (5422/5800)	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 2.1 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)	ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 533 MHz	32 비트 듀얼 채널 933 MHz (약 14.9 GB/s) LPDDR3/DDR3		2014년 1분기	삼성 갤럭시 S5 G900H (5422), 삼성 크롬북 2 (5800)
엑시노스 5 옥타 (5430)	20 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 2 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)	ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 600 MHz	32 비트 듀얼 채널 1,066 MHz (약 17.1 GB/s) LPDDR3		2014년 8월 13일	삼성 갤럭시 알파, 메이주 MX4 Pro

엑시노스 7

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	GPU	메모리 기술	통신	출시 년도	사용한 제품
엑시노스 7 옥타 (5433)	20 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM 홀딩스 코텍스-A57 1.9 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)	ARM 홀딩스 말리-T760 MP6 700 MHz	64 비트 듀얼 채널 1,066 MHz (약 13.2 GB/s) LPDDR3	Cat.6, Cat.9	2014년 9월	삼성 갤럭시 노트 4 N910H/C/U, 삼성 갤럭시 노트 엣지 대한민국 모델, 삼성 갤럭시 탭 S 10.5 대한민국 모델(SM-T805, LTE-A),삼성 갤럭시 탭 S2 8.0 SM-T715, LTE-A,삼성 갤럭시 탭 S2 9.7 SM-T815, LTE-A SM-T815
엑시노스 7 듀얼 (7270)	14nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM Cortex-A53 MP2 1 GHz	ARM Mali-T720 MP8 650MHz	32 비트 듀얼 채널 1,066 MHz (약 17.1 GB/s) LPDDR3	Cat.4	2016년 10월	삼성 기어 S3 삼성 기어 스포츠
엑시노스 7 옥타 (7420)	14 nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM 홀딩스 코텍스-A57 2.1 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)	ARM 홀딩스 말리-T760 MP8 772 MHz	64 비트 듀얼 채널 1,552 MHz (24.88 GB/s) LPDDR4	Cat.9	2015년 2월	삼성 갤럭시 S6, 삼성 갤럭시 S6 엣지, 삼성 갤럭시 노트 5, 삼성 갤럭시 S6 엣지 플러스, 삼성 갤럭시 A8 2016
엑시노스 7 쿼드 (7570)	14nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM Cortex-A53 MP4 1.4 GHz	ARM Mali-720 MP1 700MHz	32-bit 싱글채널 LPDDR3 667 MHz	Cat.4 (2CH)	2016년 8월	갤럭시 On5⑥ 갤럭시 J3⑦
엑시노스 7 쿼드 (7578)	28nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM Cortex-A53 MP4 1.5 GHz	ARM Mali-T720 MP2 700 MHz	32-bit 듀얼채널 LPDDR3 933MHz	Cat.4 (2CH)	2016년	갤럭시 A3⑥
엑시노스 7 옥타 (7580)	28 nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.6 GHz 옥타 코어	ARM 홀딩스 말리-T720 MP2 688 MHz	64 비트 듀얼 채널 933 MHz (14.9 GB/s) LPDDR3	Cat.6	2015년 2분기	삼성 갤럭시 A5,7,9 2016, 삼성 갤럭시 노트 5 네오 갤럭시 뷰
엑시노스 7 옥타 (7870)	28 nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.6 GHz 옥타 코어	ARM 홀딩스 말리-T720 MP2 700 MHz	64 비트 듀얼 채널 933 MHz (14.9 GB/s) LPDDR3	Cat.6	2016년 1분기	삼성 갤럭시 J7 2016, 삼성 갤럭시 탭 A 10.1 2016
엑시노스 7 옥타 (9610)	10 nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM 홀딩스 Cortex-A73 2.3GHz 4코어 + ARM 홀딩스 Cortex-A53 1.6GHz 4코어 ( Big.Little )	ARM 홀딩스 Mali-G72 MP18 656MHz	64 비트 듀얼 채널 1794 MHz (28.7 GB/s) LPDDR4X	Cat.13 2CA Cat.12 3CA	2017년 4분기	갤럭시 A 시리즈

엑시노스 8

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	GPU	메모리 기술	통신	출시 년도	사용한 제품
엑시노스 8 옥타 (8890)	14 nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	삼성전자 엑시노스 M1 2.6 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A53 1.6 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)	ARM 홀딩스 말리-T880 MP12 650 MHz	64 비트 듀얼 채널 1800 MHz LPDDR4	Cat.12/13	2016년 1분기	삼성 갤럭시 S7, 삼성 갤럭시 S7 엣지, 삼성 갤럭시 노트 7

엑시노스 9

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	NPU	GPU	메모리 기술	통신	출시 년도	사용한 제품
엑시노스 9 옥타 (8895)	10 nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	삼성전자 엑시노스 M2 2.3 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 Cortex-A53 1.7 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)		ARM 홀딩스 말리-G71 MP20 546 MHz	64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 1866 MHz LPDDR4X	Cat.13/16	2017년 2분기	삼성 갤럭시 S8, 삼성 갤럭시 S8 플러스, 삼성 갤럭시 노트 8
엑시노스 9 옥타 (9810)	10 nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	삼성전자 엑시노스 M3 2.7GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 Cortex-A55 1.95GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)		ARM 홀딩스 말리-G72 MP18 656MHz	64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 1866 MHz LPDDR4X	Cat.18 (6CH)	2018년 1분기	삼성 갤럭시 S9 삼성 갤럭시 S9 플러스 삼성 갤럭시 노트 9
엑시노스 9 옥타 (9820)	8 nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	삼성전자 엑시노스 M4 2.73GHz 듀얼 코어 + ARM 홀딩스Cortex-A75 2.31GHz 듀얼 코어+ ARM 홀딩스Cortex-A55 1.95GHz 쿼드 코어(ARM big.LITTLE - DynamIQ↓)	Samsung 1st MP2 NPU	ARM 홀딩스 말리-G76 MP12 600MHz	64-bit 듀얼채널 LPDDR4X ~ MHz LPDDR4X	Cat.20 (8CA)		갤럭시 S10e 갤럭시 S10 갤럭시 S10 플러스 갤럭시 S10 5G

같이 보기

• 텍사스 인스트루먼트의 OMAP
• 퀄컴의 스냅드래곤
• 화웨이의 하이 실리콘
• 프리스케일 세미컨덕터의 i.MX
• 엔비디아 테그라
• 애플 A4, 애플 A5, 애플 A6, 애플 A7, 애플 A8, 애플 A9
• 애플이 설계한 프로세서
• 미디어텍

읽을 거리

• 英 "왜 우리한테만 절름발이 갤4 판매하나" 데일리메일, 옥타코어 아닌 쿼드코어 탑재 실망 전자신문 2013.3.23
• 갤럭시S4 머리에 '이 칩'이 들어간 진짜 이유 자체 '엑시노스5410' 발열·성능 문제 발목 전자신문 2013.3.25

외부 링크

• 위키미디어 공용에 삼성 엑시노스 관련 미디어 분류가 있습니다.
• (영어) 삼성 엑시노스 - 공식 웹사이트