삼성 엑시노스

엑시노스(Exynos)는 삼성전자에서 제조하는 ARM 아키텍처 기반 프로세서를 탑재하는 SoC의 상표명이며, 이전에 생산되던 S3C, S5L와 S5P 계열의 SoC를 계승한다.

제품

엑시노스 이전의 SoC

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	GPU	메모리 기술	출시 년도	사용한 제품들
S5L8900	90 nm	ARMv6	ARM11 412 MHz 싱글 코어	이매지네이션 테크놀로지 파워VR MBX 라이트	eDRAM	2007	아이폰, 아이폰 3G, 아이팟 터치 1세대, 아이팟 터치 2세대
S3C6410	65 nm	ARMv6	ARM11 533/667/800 MHz 싱글 코어	2D / 3D 그래픽가속기	DDR SDRAM	2009	삼성 GT-i5510 갤럭시 551, 삼성 갤럭시 스피카, 삼성 M910 인터셉트, 삼성 GT-I8000 옴니아 2
S5PC100	65 nm	ARMv7	코텍스-A8 아키텍처 667/833 MHz 싱글 코어	이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX535	DDR SDRAM, LPDDR2, DDR2	2009	아이폰 3GS, 아이팟 터치 3세대

엑시노스 시리즈

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	GPU	메모리 기술	통신	출시 년도	사용한 제품
엑시노스 3 싱글 (3110/S5PC110) (허밍버드)	45 nm	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A8 1 ~ 1.2 GHz 싱글 코어	이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX540 200 MHz	32 비트 듀얼채널 200 MHz DDR SDRAM LPDDR1, LPDDR2, DDR2 SDRAM		2010	삼성 갤럭시 S, 삼성 갤럭시 탭, 구글 넥서스 S, 삼성 웨이브 II, 삼성 Exhibit 4G, 메이주 M9
엑시노스 4 듀얼 45 nm (4210)	45 nm	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A9 1.2 ~ 1.4 GHz 듀얼 코어	ARM 홀딩스 말리-400 MP4 266 MHz	LPDDR2, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM		2011 2분기	삼성 갤럭시 S II, 삼성 갤럭시 탭 7.0 플러스, 삼성 갤럭시 노트 N7000, 삼성 갤럭시 탭 7.7, Hardkernel ODROID-A, 메이주 MX 2-core (2011년형), FXI Tech Cotton Candy
엑시노스 4 듀얼 32 nm (4212)	32 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A9 1.5 GHz 듀얼 코어	ARM 홀딩스 말리-400 MP4 400 MHz	LPDDR2, DDR2 SDRAM, [[[DDR3 SDRAM]]		2011년 4분기	메이주 MX 2-core (신형), 삼성 갤럭시 탭 3 8.0
엑시노스 4 쿼드 (4412)	32 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A9 쿼드 코어 1.4 ~ 1.6 GHz	ARM 홀딩스 말리-400 MP4 440/533 MHz	32 비트 듀얼 채널 400 MHz LPDDR2, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM		2012년 2분기	삼성 갤럭시 S III I9300/9305/일부 변종, 삼성 갤럭시 노트 10.1, 삼성 갤럭시 노트 II N7000/7005/일부 변종, 메이주 MX 4 Core, 하드커널 ODROID-X, 삼성 갤럭시 노트 8.0, 삼성 갤럭시 카메라, 삼성 갤럭시 NX, 삼성 갤럭시 카메라 2
엑시노스 5 듀얼 (5250)	32 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 1.7 GHz 듀얼 코어	ARM 홀딩스 말리-T604 (MP4) 533 MHz	32 비트 듀얼 채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3		2012년 3분기	구글 넥서스 10, 삼성 크롬북 2세대
엑시노스 5 옥타 (5410)	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 1.6 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 1.2 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE)	이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX544MP3 480 MHz	32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3		2013 2분기	삼성 갤럭시 S4 I9500/일부 변종, 하드커널 ODROID-XU
엑시노스 5 옥타 (5420)	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 1.9 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE)	ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 533 MHz	32 비트 듀얼 채널 933 MHz (14.9 GB/s) LPDDR3		2013 3분기	삼성 갤럭시 노트 3 N900, 삼성 갤럭시 노트 10.1 2014 에디션 P600/601, 삼성 갤럭시 탭 프로 8.4 T??0/??1, 삼성 갤럭시 탭 프로 10.1 T??0/??1, 삼성 갤럭시 탭 프로 12.2 T??0/??1, 삼성 갤럭시 노트 프로 12.2 P900/901
섀넌222 AP	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A7 1.4 GHz 쿼드 코어	ARM 홀딩스 말리-400 MP4 400 MHz		LTE-FDD/LTE-TDD 100 Mbps 다운로드/50 Mbps 업로드 (Cat.3)	2013년 4분기	삼성 갤럭시 라이트, 삼성 갤럭시 윈 대한민국 모델
엑시노스 5 헥사 (5260)	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 1.7 GHz 듀얼 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE)	ARM 홀딩스 말리-T624 (MP4) 533 MHz	32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3		2014년 예정	갤럭시 노트 3 네오 N7505
엑시노스 5 옥타 (5422)	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 2.1 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE)	ARM 홀딩스 말리-T628 MP6	32 비트 듀얼 채널 933 MHz (14.9 GB/s) LPDDR3		2014년 예정	삼성 갤럭시 S5 G900

같이 보기

• 텍사스 인스트루먼트의 OMAP
• 퀄컴의 스냅드래곤
• 화웨이의 하이 실리콘
• 프리스케일 세미컨덕터의 i.MX
• 엔비디아 테그라
• 애플 A4, 애플 A5, 애플 A6, 애플 A7, 애플 M7
• 미디어텍

읽을 거리

• 英 "왜 우리한테만 절름발이 갤4 판매하나" 데일리메일, 옥타코어 아닌 쿼드코어 탑재 실망 전자신문 2013.3.23
• 갤럭시S4 머리에 '이 칩'이 들어간 진짜 이유 자체 '엑시노스5410' 발열·성능 문제 발목 전자신문 2013.3.25

바깥 고리

• (영어) 삼성 엑시노스 - 공식 웹사이트