삼성 엑시노스

위키백과, 우리 모두의 백과사전.
이동: 둘러보기, 검색

엑시노스(Exynos)는 삼성전자에서 제조하는 ARM 아키텍처 기반 프로세서를 탑재하는 SoC의 상표명이며, 이전에 생산되던 S3C, S5L와 S5P 계열의 SoC를 계승한다.[1]

제품[편집]

엑시노스 이전의 SoC[편집]

모델명 제조 공정 명령어 집합 CPU GPU 메모리 기술 출시
년도
사용한 제품들
S5L8900 90 nm ARMv6 ARM11 412 MHz 싱글 코어 이매지네이션 테크놀로지 파워VR MBX 라이트 eDRAM 2007 아이폰, 아이폰 3G, 아이팟 터치 1세대, 아이팟 터치 2세대
S3C6410 65 nm ARMv6 ARM11 533/667/800 MHz 싱글 코어 2D / 3D 그래픽가속기 DDR SDRAM 2009 삼성 GT-i5510 갤럭시 551, 삼성 갤럭시 스피카, 삼성 M910 인터셉트, 삼성 GT-I8000 옴니아 2
S5PC100 65 nm ARMv7 코텍스-A8 아키텍처 667/833 MHz 싱글 코어 이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX535 DDR SDRAM, LPDDR2, DDR2 2009 아이폰 3GS, 아이팟 터치 3세대

엑시노스 시리즈[편집]

모델명 제조 공정 명령어 집합 CPU GPU 메모리 기술 통신 출시 년도 사용한 제품
엑시노스 3 싱글 (3110/S5PC110) (허밍버드)[2] 45 nm ARM 홀딩스 ARMv7 ARM 홀딩스 코텍스-A8 1 ~ 1.2 GHz 싱글 코어 이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX540 200 MHz 32 비트 듀얼채널 200 MHz DDR SDRAM LPDDR1, LPDDR2, DDR2 SDRAM 2010 삼성 갤럭시 S, 삼성 갤럭시 탭, 구글 넥서스 S, 삼성 웨이브 II, 삼성 Exhibit 4G, 메이주 M9
엑시노스 4 듀얼 45 nm (4210)[3] 45 nm ARM 홀딩스 ARMv7 ARM 홀딩스 코텍스-A9 1.2 ~ 1.4 GHz 듀얼 코어 ARM 홀딩스 말리-400 MP4 266 MHz LPDDR2, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM 2011 2분기 삼성 갤럭시 S II, 삼성 갤럭시 탭 7.0 플러스, 삼성 갤럭시 노트 N7000, 삼성 갤럭시 탭 7.7, Hardkernel ODROID-A, 메이주 MX 2-core (2011년형), FXI Tech Cotton Candy
엑시노스 4 듀얼 32 nm (4212)[4] 32 nm HKMG ARM 홀딩스 ARMv7 ARM 홀딩스 코텍스-A9 1.5 GHz 듀얼 코어 ARM 홀딩스 말리-400 MP4 400 MHz LPDDR2, DDR2 SDRAM, [[[DDR3 SDRAM]] 2011년 4분기 메이주 MX 2-core (신형), 삼성 갤럭시 탭 3 8.0
엑시노스 4 쿼드 (4412) [5] 32 nm HKMG ARM 홀딩스 ARMv7 ARM 홀딩스 코텍스-A9 쿼드 코어 1.4 ~ 1.6 GHz ARM 홀딩스 말리-400 MP4 440/533 MHz 32 비트 듀얼 채널 400 MHz
LPDDR2, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM
2012년 2분기 삼성 갤럭시 S III I9300/9305/일부 변종, 삼성 갤럭시 노트 10.1, 삼성 갤럭시 노트 II N7000/7005/일부 변종, 메이주 MX 4 Core, 하드커널 ODROID-X, 삼성 갤럭시 노트 8.0, 삼성 갤럭시 카메라, 삼성 갤럭시 NX, 삼성 갤럭시 카메라 2
엑시노스 5 듀얼 (5250)[6] 32 nm HKMG ARM 홀딩스 ARMv7 ARM 홀딩스 코텍스-A15 1.7 GHz 듀얼 코어 ARM 홀딩스 말리-T604 (MP4) 533 MHz 32 비트 듀얼 채널 800 MHz (12.8 GB/s)
LPDDR3
2012년 3분기 구글 넥서스 10, 삼성 크롬북 2세대
엑시노스 5 옥타 (5410)[7][8] 28 nm HKMG ARM 홀딩스 ARMv7 ARM 홀딩스 코텍스-A15 1.6 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 1.2 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE) 이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX544MP3 480 MHz 32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s)
LPDDR3
2013 2분기 삼성 갤럭시 S4 I9500/일부 변종, 하드커널 ODROID-XU
엑시노스 5 옥타 (5420)[9] 28 nm HKMG ARM 홀딩스 ARMv7 ARM 홀딩스 코텍스-A15 1.9 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE) ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 533 MHz 32 비트 듀얼 채널 933 MHz (14.9 GB/s)
LPDDR3
2013 3분기 삼성 갤럭시 노트 3 N900, 삼성 갤럭시 노트 10.1 2014 에디션 P600/601, 삼성 갤럭시 탭 프로 8.4 T??0/??1, 삼성 갤럭시 탭 프로 10.1 T??0/??1, 삼성 갤럭시 탭 프로 12.2 T??0/??1, 삼성 갤럭시 노트 프로 12.2 P900/901
섀넌222 AP[10][11] 28 nm HKMG ARM 홀딩스 ARMv7 ARM 홀딩스 코텍스-A7 1.4 GHz 쿼드 코어 ARM 홀딩스 말리-400 MP4 400 MHz LTE-FDD/LTE-TDD 100 Mbps 다운로드/50 Mbps 업로드 (Cat.3) 2013년 4분기 삼성 갤럭시 라이트, 삼성 갤럭시 윈 대한민국 모델
엑시노스 5 헥사 (5260)[12] 28 nm HKMG ARM 홀딩스 ARMv7 ARM 홀딩스 코텍스-A15 1.7 GHz 듀얼 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE) ARM 홀딩스 말리-T624 (MP4) 533 MHz 32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s)
LPDDR3
2014년 예정 갤럭시 노트 3 네오 N7505
엑시노스 5 옥타 (5422)[13] 28 nm HKMG ARM 홀딩스 ARMv7 ARM 홀딩스 코텍스-A15 2.1 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE) ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 32 비트 듀얼 채널 933 MHz (14.9 GB/s)
LPDDR3
2014년 예정 삼성 갤럭시 S5 G900

같이 보기[편집]

참고/주석[편집]

읽을 거리[편집]

바깥 고리[편집]