삼성 엑시노스

삼성 갤럭시 S III에 장착된 엑시노스 4 쿼드 (4412)
엑시노스(Exynos)는 삼성전자에서 제조하는 애플리케이션 프로세서, 모뎀, RF칩 등의 상표명이다.
이전에 생산되던 S3C, S5L와 S5P 계열의 AP를 계승한다.[1]
목차
애플리케이션 프로세서[편집]
엑시노스 이전의 AP[편집]
모델명 | 제조 공정 |
명령어 집합 | CPU | GPU | 메모리 기술 | 출시 년도 |
사용한 제품들 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
S5L8900 | 90 nm | ARMv6 | ARM11 620MHz
싱글 코어 |
이매지네이션 테크놀로지 파워VR MBX 라이트 | eDRAM | 2007 | 아이폰, 아이폰 3G, 아이팟 터치 1세대, 아이팟 터치 2세대 |
S3C6410 | 65 nm | ARMv6 | ARM11 533/667/800 MHz 싱글 코어 | 2D / 3D 그래픽가속기 | DDR SDRAM | 2009 | 삼성 GT-i5510 갤럭시 551, 삼성 갤럭시 스피카, 삼성 M910 인터셉트, 삼성 GT-I8000 옴니아 2 |
엑시노스 3[편집]
모델명 | 제조 공정 |
명령어 집합 | CPU | GPU | 메모리 기술 | 통신 | 출시 년도 |
사용한 제품 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
엑시노스 3 싱글 (3110, S5PC100)[2] | 65 nm | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A8 아키텍처 최대 833 MHz 싱글 코어 | 이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX535 150 MHz | DDR SDRAM, LPDDR2, DDR2 | 2009 | 아이폰 3GS, 아이팟 터치 3세대 | |
엑시노스 3 싱글 (3110) (허밍버드(S5PC110/111))[3] | 45 nm | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A8 최대 1 GHz 싱글 코어 | 이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX540 200 MHz | 32 비트 듀얼채널 200 MHz (3.2 GB/s) LPDDR1/LPDDR2 |
2010 | 삼성 갤럭시 S, 삼성 갤럭시 탭, 구글 넥서스 S, 삼성 웨이브 II, 삼성 Exhibit 4G, 메이주 M9 | |
엑시노스 3 쿼드 (3470, 섀넌222AP)[4][5] | 28 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.4 GHz 쿼드 코어 | ARM 홀딩스 말리-400 MP4 440 MHz | 32 비트 듀얼 채널 400 MHz (6.4 GB/s) LPDDR2/LPDDR3 |
LTE Cat.3/4[6] | 2013년 4분기 | 삼성 갤럭시 라이트, 삼성 갤럭시 윈 대한민국 모델, 삼성 갤럭시 S5 미니 |
엑시노스 3 듀얼 (3250, 웨어러블 전용 AP) | 28 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1 GHz 쿼드 코어 | ARM 홀딩스 말리-400 MP? ??? MHz | 32비트 듀얼 채널 ? MHz LPDDR2 |
2014년 1분기 | 삼성 기어 2/기어 2 네오, 삼성 기어 S |
엑시노스 4[편집]
모델명 | 제조 공정 | 명령어 집합 | CPU | GPU | 메모리 기술 | 출시 년도 |
사용한 제품들 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
엑시노스 4 듀얼 45 nm (4210)[7] | 45 nm | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A9 최대 1.4 GHz 듀얼 코어 | ARM 홀딩스 말리-400 MP4 266 MHz | 32 비트 듀얼 채널 400 MHz (6.4 GB/s) LPDDR2/LPDDR3 |
2011 2분기 | 삼성 갤럭시 S II, 삼성 갤럭시 탭 7.0 플러스, 삼성 갤럭시 노트 N7000, 삼성 갤럭시 탭 7.7, Hardkernel ODROID-A, 메이주 MX 2-core (2011년형), FXI Tech Cotton Candy, 단종 |
엑시노스 4 듀얼 32 nm (4212)[8] | 32 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A9 최대 1.5 GHz 듀얼 코어 | ARM 홀딩스 말리-400 MP4 440 MHz | 32 비트 듀얼 채널 400 MHz (6.4 GB/s) LPDDR2/LPDDR3 |
2011년 4분기 | 메이주 MX 2-core (신형), 삼성 갤럭시 탭 3 8.0 , 갤럭시 s4 zoom |
엑시노스 4 쿼드 (4412)[9] | 32 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A9 쿼드 코어 최대1.6 GHz | ARM 홀딩스 말리-400 MP4 440/533 MHz | 32 비트 듀얼 채널 400 MHz (6.4 GB/s) LPDDR2/LPDDR3 |
2012년 2분기 | 삼성 갤럭시 S III I9300/9305/일부 변종, 삼성 갤럭시 노트 10.1, 삼성 갤럭시 노트 II N7100/7105/일부 변종, 메이주 MX 4 Core, 하드커널 ODROID-X, 삼성 갤럭시 노트 8.0, 삼성 갤럭시 카메라, 삼성 갤럭시 NX, 삼성 갤럭시 카메라 2 |
엑시노스 5[편집]
모델명 | 제조 공정 |
명령어 집합 | CPU | GPU | 메모리 기술 | 통신 | 출시 년도 |
사용한 제품 |
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엑시노스 5 듀얼 (5250)[10] | 32 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.7 GHz 듀얼 코어 | ARM 홀딩스 말리-T604 (MP4) 533 MHz | 32 비트 듀얼 채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3/DDR3 |
2012년 3분기 | 구글 넥서스 10, 삼성 크롬북 2세대 | |
엑시노스 5 옥타 (5410)[11][12] | 28 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.7 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE CM) | 이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX544MP3 533 MHz | 32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3 |
2013 2분기 | 삼성 갤럭시 S4 I9500/일부 변종, 하드커널 ODROID-XU | |
엑시노스 5 옥타 (5420)[13] | 28 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.9 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE CM) | ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 533 MHz | 32 비트 듀얼 채널 933 MHz (약 14.9 GB/s) LPDDR3 |
2013 3분기 | 삼성 갤럭시 노트 3 N900, 삼성 갤럭시 노트 10.1 2014 에디션 P600/601, 삼성 갤럭시 탭 프로 8.4 T320/321, 삼성 갤럭시 탭 프로 10.1 T520/521, 삼성 갤럭시 탭 프로 12.2 T900/901, 삼성 갤럭시 노트 프로 12.2 P900/901, 삼성 갤럭시 탭 S 8.4 T700, 삼성 갤럭시 탭 S 10.5 T800 | |
엑시노스 5 헥사 (5260)[14] | 28 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.7 GHz 듀얼 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T624 (MP4) 533 MHz | 32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3 |
2014년 1분기 | 삼성 갤럭시 노트 3 네오 N750/7505/7507, 삼성 갤럭시 K 줌 | |
엑시노스 5 옥타 (5422/5800)[15] | 28 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 2.1 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 533 MHz | 32 비트 듀얼 채널 933 MHz (약 14.9 GB/s) LPDDR3/DDR3 |
2014년 1분기 | 삼성 갤럭시 S5 G900H (5422), 삼성 크롬북 2 (5800)[16] | |
엑시노스 5 옥타 (5430)[17] | 20 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv7 | ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 2 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 600 MHz | 32 비트 듀얼 채널 1,066 MHz (약 17.1 GB/s) LPDDR3 |
2014년 8월 13일 | 삼성 갤럭시 알파, 메이주 MX4 Pro |
엑시노스 7[편집]
모델명 | 제조 공정 |
명령어 집합 | CPU | GPU | 메모리 기술 | 통신 | 출시 년도 |
사용한 제품 |
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엑시노스 7 옥타 (5433)[18][19] | 20 nm HKMG | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM 홀딩스 코텍스-A57 1.9 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T760 MP6 700 MHz | 64 비트 듀얼 채널 1,066 MHz (약 13.2 GB/s) LPDDR3 |
Cat.6, Cat.9 | 2014년 9월 | 삼성 갤럭시 노트 4 N910H/C/U, 삼성 갤럭시 노트 엣지 대한민국 모델, 삼성 갤럭시 탭 S 10.5 대한민국 모델(SM-T805, LTE-A),삼성 갤럭시 탭 S2 8.0 SM-T715, LTE-A,삼성 갤럭시 탭 S2 9.7 SM-T815, LTE-A SM-T815 |
엑시노스 7 옥타 (7420)[20] | 14 nm FinFET | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM 홀딩스 코텍스-A57 2.1 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T760 MP8 772 MHz | 64 비트 듀얼 채널 1,552 MHz (24.88 GB/s) LPDDR4 |
Cat.9 | 2015년 2월[21] | 삼성 갤럭시 S6, 삼성 갤럭시 S6 엣지, 삼성 갤럭시 노트 5, 삼성 갤럭시 S6 엣지 플러스 |
엑시노스 7 옥타 (7580)[22] | 28 nm FinFET | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.6 GHz 옥타 코어 | ARM 홀딩스 말리-T720 MP2 688 MHz | 64 비트 듀얼 채널 933 MHz (14.9 GB/s) LPDDR3 |
Cat.6 | 2015년 2분기 | 삼성 갤럭시 A5,7,9 2016, 삼성 갤럭시 노트 5 네오 갤럭시 뷰 |
엑시노스 7 옥타 (7870)[23] | 28 nm FinFET | ARM 홀딩스 ARMv8-A | ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.6 GHz 옥타 코어 | ARM 홀딩스 말리-T720 MP2 700 MHz | 64 비트 듀얼 채널 933 MHz (14.9 GB/s) LPDDR3 |
Cat.6 | 2016년 1분기 | 삼성 갤럭시 J7 2016, 삼성 갤럭시 탭 A 10.1 2016 |
엑시노스 8[편집]
모델명 | 제조 공정 |
명령어 집합 | CPU | GPU | 메모리 기술 | 통신 | 출시 년도 |
사용한 제품 |
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엑시노스 8 옥타 (8890)[24] | 14 nm FinFET | ARM 홀딩스 ARMv8-A | 삼성전자 엑시노스 M1 2.6 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A53 1.6 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-T880 MP12 650 MHz | 64 비트 듀얼 채널 1794 MHz (28.7 GB/s) LPDDR4 |
Cat.12/13 | 2016년 1분기 | 삼성 갤럭시 S7, 삼성 갤럭시 S7 엣지, 삼성 갤럭시 노트 7 |
엑시노스 9[편집]
모델명 | 제조 공정 |
명령어 집합 | CPU | GPU | 메모리 기술 | 통신 | 출시 년도 |
사용한 제품 |
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엑시노스 9 옥타 (8895)[25] | 10 nm FinFET | ARM 홀딩스 ARMv8-A | 삼성전자 엑시노스 M1 2.3 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A53 1.7 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP) | ARM 홀딩스 말리-G71 MP20 546 MHz | 64 비트 듀얼 채널 1794 MHz (28.7 GB/s) LPDDR4X |
Cat.13/16 | 2017년 2분기 | 삼성 갤럭시 S8, 삼성 갤럭시 S8 플러스, 삼성 갤럭시 노트 8 |
같이 보기[편집]
- 텍사스 인스트루먼트의 OMAP
- 퀄컴의 스냅드래곤
- 화웨이의 하이 실리콘
- 프리스케일 세미컨덕터의 i.MX
- 엔비디아 테그라
- 애플 A4, 애플 A5, 애플 A6, 애플 A7, 애플 A8, 애플 A9
- 미디어텍
각주[편집]
- ↑ Samsung Assigns New Nomenclature to Application Processor Family
- ↑ http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/Exynos/w/solution.html#?v=single
- ↑ “엑시노스 3 싱글 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ http://www.dt.co.kr/contents.html?article_no=2013111202011132803005
- ↑ http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/Exynos/w/solution.html#?v=modap
- ↑ 엑시노스 브랜드 이전에는 Cat.3, 엑시노스 브랜드로 런칭 후에는 Cat.4 모뎀이 통합된 ModAP다.
- ↑ “엑시노스 4 듀얼 (4210) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ “엑시노스 4 듀얼 (4212) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ “엑시노스 4 쿼드 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ “엑시노스 5 듀얼 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ “엑시노스 5 옥타 (5410) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ http://economy.hankooki.com/lpage/industry/201301/e20130110143319120180.html
- ↑ “엑시노스 5 옥타 (5420) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ “엑시노스 5 헥사 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ “엑시노스 5 옥타 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ 크롬북에 장착된 모델은 엑시노스 5800이다.
- ↑ “엑시노스 5 옥타 (5430) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ “엑시노스 7 옥타 (5433) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 공식 홈페이지》.
- ↑ 갤럭시 노트 4 등에 "엑시노스 5433"이라는 이름으로 적용되었으나, 이후 엑시노스 7 라인업이 발표되면서 코텍스-A57, 코텍스-A53을 사용하는 특성상 엑시노스 7 라인업으로 편입되었다. 7410이라는 이름으로 변경되었다는 루머가 돌았으나 사실이 아니다.
- ↑ “엑시노스 7 옥타 (7420) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 홈페이지》.
- ↑ http://www.hankyung.com/news/app/newsview.php?aid=201502163297g
- ↑ “엑시노스 7 옥타 (7580) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 홈페이지》.
- ↑ “엑시노스 7 옥타 (7870) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 홈페이지》.
- ↑ “엑시노스 8 옥타 (8890) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 홈페이지》.
- ↑ “엑시노스 9 옥타 (8895) 제품 페이지”. 《삼성 엑시노스 홈페이지》.
읽을 거리[편집]
- 英 "왜 우리한테만 절름발이 갤4 판매하나" 데일리메일, 옥타코어 아닌 쿼드코어 탑재 실망 전자신문 2013.3.23
- 갤럭시S4 머리에 '이 칩'이 들어간 진짜 이유 자체 '엑시노스5410' 발열·성능 문제 발목 전자신문 2013.3.25
외부 링크[편집]
- (영어) 삼성 엑시노스 - 공식 웹사이트
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