90 nm 공정

90 nm(나노미터) 공정은 회로선 폭이 90 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 인텔, AMD, 인피니온 테크놀로지스, 텍사스 인스트루먼트, IBM, TSMC와 같은 대부분의 주요 반도체 기업이 2002년에서 2003년경 도달한 CMOS 공정 기술의 수준이다.

예제: 엘피다 90 nm DDR2 SDRAM 공정^[1][편집]

↑ Elpida's presentation at Via Technology Forum 2005 and Elpida 2005 Annual Report

반도체 소자 제조

MOSFET 스케일링 (공정 노드)
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
미래 002 nm – 2024
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