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22 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서
목차 토글
22 nm 공정
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위키백과, 우리 모두의 백과사전.
반도체
소자
제조
MOSFET 스케일링
(
공정 노드
)
0
10 µm
– 1971
00
6 µm
– 1974
00
3 µm
– 1977
1.5 µm
– 1981
00
1 µm
– 1984
800 nm
– 1987
600 nm
– 1990
350 nm
– 1993
250 nm
– 1996
180 nm
– 1999
130 nm
– 2001
0
90 nm
– 2003
0
65 nm
– 2005
0
45 nm
– 2007
0
32 nm
– 2009
0
22 nm
– 2012
0
14 nm
– 2014
0
10 nm
– 2016
00
7 nm
– 2018
00
5 nm
– 2020
00
3 nm
– 2022
미래
00
2 nm
– 2024
하프 노드
집적도
CMOS
소자
(
멀티게이트
)
무어의 법칙
반도체
산업
나노전자
v
•
d
•
e
•
h
22 nm(
나노미터
) 공정
은 회로선 폭이 22 nm인 반도체를 다루는
반도체 제조 공정
이다.
22 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서
[
편집
]
인텔 3세대 코어 프로세서
아이비브리지
.
인텔 4세대 코어 프로세서
하스웰
,
인텔 B365 칩셋,
이 글은 공학에 관한
토막글
입니다. 여러분의 지식으로 알차게
문서를 완성해
갑시다.
분류
:
국제 반도체 기술 로드맵 리소그래피 노드
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