DDR3 SDRAM: 두 판 사이의 차이
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== 규격 표준 == |
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== 같이 보기 == |
== 같이 보기 == |
2010년 8월 17일 (화) 22:56 판
전자 공학에서 DDR3 SDRAM은 컴퓨터와 다른 디지털 회로 장치에서 데이터를 빠르게 처리하는 데 쓰이는 램 기술이다. 디램 가운데 하나인 SDRAM계 기술의 일부이며, 이전 기술인 DDR2 SDRAM 제품보다 동작속도, 전력소모 등이 뛰어나다. 삼성전자가 2005년 업계최초로 개발하였다.
DDR3의 주된 이점은 입출력 버스를 메모리 셀의 속도보다 4배나 빠르게 동작할 수 있다는 점이며, 이로써 이전의 메모리 기술보다 더 빠른 버스 속도를 구현할 수 있다. 다만 더 빠른 버스 속도와 스루풋은 레이턴시를 늘리는 결과를 낳아 전반적인 속도가 떨어질 수 있다. 또한, DDR3은 512 메가비트부터 8 기가비트까지의 칩 용량을 표준으로 지정해 놓고 있다. 따라서 최대 16 기가바이트의 메모리 모듈을 사용할 수 있다.
규격 표준
표준 이름 | 메모리 클럭 | 순환 주기 | 입출력 버스 클럭 | 초당 데이터 전송률 | 모듈 이름 | 최대 전송률 |
DDR3-800 | 100 MHz | 10 ns | 400 MHz | 800,000,000 | PC3-6400 | 6400 MB/초 |
DDR3-1066 | 133 MHz | 7.5 ns | 533 MHz | 1,066,000,000 | PC3-8500 | 8533 MB/초 |
DDR3-1333 | 166 MHz | 6 ns | 667 MHz | 1,333,000,000 | PC3-10600 | 10667 MB/초[1] |
DDR3-1600 | 200 MHz | 5 ns | 800 MHz | 1,600,000,000 | PC3-12800 | 12800 MB/초 |