DDR4 SDRAM
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| 종류 | SDRAM |
|---|---|
| 출시일 | 2014년 9월[1] |
| 이전 기종 | DDR3 SDRAM |
| 후속 기종 | DDR5 SDRAM |
| 웹사이트 | DDR4 SDRAM STANDARD |
컴퓨팅 분야에서 DDR4 SDRAM은 2배속 SDRAM의 일종으로, 2014년에 출시되었다.[2][3][4] 'DDR4 SDRAM'은 'double data rate 4th generation synchronous dynamic random-access memory'(4세대 2배속 동기 동적 랜덤 접근 기억장치)를 줄인 말이다.
1970년대 초 이후로 사용되어 온 DRAM들 중 가장 최근의 변종이 되며,[5] DDR2 SDRAM과 DDR3 SDRAM 기술의 뒤를 이었다. DDR4 SDRAM은 서로 다른 신호 전압, 물리적 인터페이스, 기타 요인으로 인해 이전 세대의 RAM과는 호환되지 않는다.
DDR4 SDRAM은 2015년 2/4분기에 ECC 메모리에 주력하여 시장에 공개되었고,[6] 비 ECC 메모리 모듈은 DDR4 메모리를 사용하는 하스웰-E의 출시와 함께 2014년 3/4분기에 출시되었다.[7]
특징[편집]
이전 기종인 DDR3에 비해 DDR4가 좋은 점으로는 모듈 밀도가 높고, 높은 비트 전송률과 함께 필요한 전압이 낮음을 들 수 있다. DDR4의 기준은 이론적으로 DIMM이 용량 512GiB까지 가능한데, DDR3의 경우 이론적으로 DIMM당 128GiB이 최고였다.[8] DDR4는 1.2 V에 800에서 1600 MHz의 주파수로 운용되는데, DDR3는 1.5 V 또는 1.65 V에서 400에서 1067 MHz로 기동한다.[9][주해 1][10] 2014년 8월 저전력 기준이 확정되지는 않았지만, 저전력 DDR4는 DDR3의 저전력 기준인 1.35V의 운용 전압보다 낮은 1.05V로 구동이 된다.[11]
DIMM 차이[편집]
DDR4는 240핀 DDR-2/DDR-3 DIMM과 비슷한 284핀 DIMM으로 출시된다.[12] DDR4 SO-DIMM은 256핀을 지니며 0.5mm 더 공간이 좁아졌고 1.0 mm 더 넓어졌으나 기존과 동일한 30 mm 높이를 유지한다.[12] 최소 메모리용량은 4GB이며 32비트는없다.
최종 규격[편집]
2012년 9월 25일, 메모리 표준 규격을 정하는 JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council ) 은 차기 메모리인 DDR4 의 최종 규격을 발표했다. 이에 의하면 핀당 전송 속도는 최소 1.6 GT/s (Gigatransfer per second)에서 최대 3.2 GT/s 가 기본이지만 이전 DDR3 이하 메모리에서 그랬듯이 이보다 더 빠른 규격이 등장할 수도 있을 것으로 예상되었다. 또한 DDR4 메모리는 기본이 1.2 V 로 작동해 1.5 V 로 작동하는 DDR3 메모리보다 전력 소모가 줄어들고 속도는 빨라졌기 때문에 도입되면 큰 이점이 있을 것으로 기대되었다.[13]
모듈[편집]
JEDEC 표준 DDR4 모듈[편집]
JEDEC 표준 DDR4 모듈은 다음과 같다.[14][15]
| 표준 이름 |
메모리 클럭 (MHz) |
입출력 버스 클럭 (MHz) |
데이터 속도 (MT/s) |
모듈 이름 |
최고 전송 속도 (MB/s) |
타이밍, CL-tRCD-tRP |
CAS 레이턴시 (ns) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DDR4-1600J* DDR4-1600K DDR4-1600L |
200 | 800 | 1600 | PC4-12800 | 12800 | 10-10-10 11-11-11 12-12-12 |
12.5 13.75 15 |
| DDR4-1866L* DDR4-1866M DDR4-1866N |
233.33 | 933.33 | 1866.67 | PC4-14900 | 14933.33 | 12-12-12 13-13-13 14-14-14 |
12.857 13.929 15 |
| DDR4-2133N* DDR4-2133P DDR4-2133R |
266.67 | 1066.67 | 2133.33 | PC4-17000 | 17066.67 | 14-14-14 15-15-15 16-16-16 |
13.125 14.063 15 |
| DDR4-2400P* DDR4-2400R DDR4-2400T DDR4-2400U |
300 | 1200 | 2400 | PC4-19200 | 19200 | 15-15-15 16-16-16 17-17-17 18-18-18 |
12.5 13.32 14.16 15 |
| DDR4-2666T DDR4-2666U DDR4-2666V DDR4-2666W |
333.33 | 1333.33 | 2666.67 | PC4-21333 | 21333.33 | 17-17-17 18-18-18 19-19-19 20-20-20 |
12.75 13.50 14.25 15 |
| DDR4-2933V DDR4-2933W DDR4-2933Y DDR4-2933AA |
366.67 | 1466.67 | 2933.33 | PC4-23466 | 23466.67 | 19-19-19 20-20-20 21-21-21 22-22-22 |
12.96 13.64 14.32 15 |
| DDR4-3200W DDR4-3200AA DDR4-3200AC |
400 | 1600 | 3200 | PC4-25600 | 25600 | 20-20-20 22-22-22 24-24-24 |
12.50 13.75 15 |
* 선택 사항
각주[편집]
- ↑ “JEDEC Announces Publication of DDR4 Standard”. JEDEC. 2012년 9월 25일..
- ↑ Marc (2011년 4월 5일). “Hynix produces its first DDR4 modules”. 《behardware.com》. 2012년 4월 15일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2012년 4월 14일에 확인함.
- ↑ “Micron teases working DDR4 RAM”. engadget.com. 2012년 5월 8일. 2012년 5월 8일에 확인함.
- ↑ “Samsung mass-produces DDR4”. 2016년 3월 26일에 확인함.
- ↑ “The DRAM Story” (PDF). www.ieee.org. 2008. 10쪽. 2012년 1월 23일에 확인함.
- ↑ “Crucial DDR4 Server Memory Now Available”. Globe newswire. 2014년 6월 2일. 2016년 3월 6일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2016년 3월 26일에 확인함.
- ↑ “How Intel Plans to Transition Between DDR3 and DDR4 for the Mainstream”. TechPowerUp. 2016년 3월 26일에 확인함.
- ↑ “Why migrate to DDR4?”. 《EE Times》.
- ↑ “DDR3 SDRAM Standard JESD79-3F, sec. Table 69- Timing Parameters by Speed Bin”. JEDEC. 2012년 7월. 2016년 3월 28일에 확인함.
- ↑ “Vengeance LP Memory — 8GB 1600MHz CL9 DDR3 (CML8GX3M1A1600C9)”. 《Corsair》. 2016년 3월 28일에 확인함.
- ↑ “DDR4 – Advantages of Migrating from DDR3”. 2016년 3월 24일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2016년 3월 28일에 확인함..
- ↑ 가 나 J.Y. Jung (2012년 9월 11일). “Intel Developer Forum 2012”. Samsung. 2012년 11월 27일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2012년 9월 15일에 확인함.
- ↑ “JEDEC, DDR3 후속 차세대 DDR4 메모리 표준 사양 확정”. 2012년 9월 26일. 2013년 1월 21일에 확인함.
- ↑ 《JESD79-4A – JEDEC Standard DDR4 SDRAM November 2013》 (PDF), JEDEC
- ↑ 《DDR4 SDRAM UDIMM Design Specification》 (PDF), JEDEC
보충 설명[편집]
- ↑ 일부 DDR3 제품은 원래보다 높은 1600 MHz까지의 속도로 작동되기도 한다.