질화물 반도체

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질화물 반도체(窒化物半導體)란, III-V족 반도체이며, V족 원소질소를 이용한 반도체이다. 질화 알루미늄(AIN), 질화 갈륨(GaN), 질화 인듐(InN)이 대표적이다. 질화 알루미늄은 절연체이지만, 같은 계열로 논의된다.

기존의 반도체에 비해 띠틈이 큰 와이드갭 반도체이며, 또한 갈륨, 인듐, 알루미늄의 농도를 변화시켜서, 띠틈을 크게 변화시킬 수 있다. 그렇기 때문에 가시광선 영역의 거의 대부분을 커버할 수 있어 발광재료로 유망시되고 있다.

그 외에도, 화학적으로 안정한 것, 물리적으로 단단한 것, 비소의 유독물질이 사용되지 않아서 환경적인 것 등 여러 특징을 가진다.

역사[편집]

1990년대, 니치아 화학나카무라 슈우지에 의하여 GaN을 이용한 파란색 발광 다이오드가 제작되어, 질화물 품이라고 말해지는 사태가 발생되었다.

2004년에, 질화물 반도체는 매우 활발하게 연구되고 있어, 일본응용물리학회, 한국물리학회에서 질화물 반도체의 세션은 다른부분에 비해서 큰 비중을 차지한다.

같이 보기[편집]