분류:반도체

ㄷ

• 띠 이론 (1 C, 13 P)

ㅁ

• 반도체 물리학자 (10 P)

ㅂ

• 반도체 구조 (10 P)
• 반도체 기술 (1 C, 4 P)
• 반도체 소자 (7 C, 16 P)
• 반도체 재료 (4 C, 10 P)

ㅅ

• 반도체 산업 (1 C, 1 P)

ㅈ

• 전하 운반자 (1 C, 10 P)

ㅌ

• 트랜지스터 (3 C, 18 P)

• 반도체

*

• 틀:반도체
• 엑시톤

2

• 2D 머티리얼
• 2차원 반도체

5

• 50나노 16기가 반도체

C

• CMOS

K

• K·p 섭동 이론

N

• N형 반도체

P

• PN 다이오드
• P형 반도체

ㄱ

• 건 다이오드
• 게이트 턴 오프 사이리스터
• 공간 전하
• 김충기

ㄷ

• 다이 슈링크
• 다이오드
• 띠구조
• 띠틈

ㄹ

• 랩온어칩
• 롤투롤 공정

ㅂ

• 박막
• 박막 트랜지스터
• 반도체 소자
• 반도체 오류 진단 및 분석
• 불순물 반도체
• 불순물준위
• 비결정 반도체

ㅅ

• 사이리스터
• 삼성전자 마하1
• 설계 가능 논리 소자
• 스테퍼
• 스퍼터링
• 습식 식각
• 시트 저항
• 식각

ㅇ

• 액티브 픽셀 센서
• 양공
• 에치 피트 밀도
• 엑스모어
• 연마
• 위상절연체
• 유기 반도체
• 유기 전계효과 트랜지스터
• 유효 질량
• 이미지 센서

ㅈ

• 자기유동유체 연마
• 장효과 트랜지스터
• 전기발광
• 전력 반도체 소자
• 전압 기준
• 전자 이동도
• 전하 운반자
• 전하결합소자
• 절연 게이트 양극성 트랜지스터
• 정전류 다이오드
• 제너 다이오드
• 진성 반도체
• 질화물 반도체

ㅊ

• 칩4

ㅋ

• 캐리어 생성 및 재결합
• 퀄컴 애서로스 WCN36xx

ㅌ

• 터널 다이오드
• 터널 주입
• 텔루륨화 비스무트
• 통합 게이트 정류 사이리스터
• 투명박막 트랜지스터
• 트랜지스터-트랜지스터 논리

ㅍ

• 필라델피아 반도체 지수

ㅎ

• 핫 캐리어 주입
• 홀 효과
• 화웨이 어센드 910C
• 확산 전류
• 황의 법칙
• 황화은