질화 갈륨
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| 이름 | |
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| IUPAC 이름
Gallium nitride
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| 별칭
gallium(III) nitride
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달리 명시된 경우를 제외하면, 표준상태(25 °C [77 °F], 100 kPa)에서 물질의 정보가 제공됨.
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질화 갈륨(Gallium nitride, GaN)은 갈륨의 질화물로, 청색 발광 다이오드(LED)의 재료로 사용되는 반도체이다. 이 화합물은 우르자이트(Wurtzite) 육방정계 구조를 갖는 단단한 소재로써 3.4eV의 넓은 띠틈을 가져 전력 반도체나 레이다 등 광전자공학, 고전력 및 고주파 장치에 사용된다.
같이 보기
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