DDR3 SDRAM: 두 판 사이의 차이
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DDR3의 주된 이점은 입출력 버스를 메모리 셀의 속도보다 4배나 빠르게 동작할 수 있다는 점이며, 이로써 이전의 메모리 기술보다 더 빠른 버스 속도를 구현할 수 있다. 다만 더 빠른 버스 속도와 [[스루풋]]은 [[SDRAM 레이턴시|레이턴시]]를 늘리는 결과를 낳아 전반적인 속도가 떨어질 수 있다. 또한, DDR3은 512 [[메가비트]]부터 8 [[기가비트]]까지의 칩 용량을 표준으로 지정해 놓고 있다. 따라서 최대 16 기가바이트의 메모리 모듈을 사용할 수 있다. |
DDR3의 주된 이점은 입출력 버스를 메모리 셀의 속도보다 4배나 빠르게 동작할 수 있다는 점이며, 이로써 이전의 메모리 기술보다 더 빠른 버스 속도를 구현할 수 있다. 다만 더 빠른 버스 속도와 [[스루풋]]은 [[SDRAM 레이턴시|레이턴시]]를 늘리는 결과를 낳아 전반적인 속도가 떨어질 수 있다. 또한, DDR3은 512 [[메가비트]]부터 8 [[기가비트]]까지의 칩 용량을 표준으로 지정해 놓고 있다. 따라서 최대 16 기가바이트의 메모리 모듈을 사용할 수 있다. |
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{|class="wikitable" style="text-align:center" |
{|class="wikitable" style="text-align:center" |
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2014년 5월 5일 (월) 22:50 판
전자 공학에서 DDR3 SDRAM은 컴퓨터와 다른 디지털 회로 장치에서 데이터를 빠르게 처리하는 데 쓰이는 램 기술이다. 디램 가운데 하나인 SDRAM계 기술의 일부이며, 이전 기술인 DDR2 SDRAM 제품보다 동작속도, 전력소모 등이 뛰어나다. 삼성전자가 2005년 업계최초로 개발하였다.
DDR3의 주된 이점은 입출력 버스를 메모리 셀의 속도보다 4배나 빠르게 동작할 수 있다는 점이며, 이로써 이전의 메모리 기술보다 더 빠른 버스 속도를 구현할 수 있다. 다만 더 빠른 버스 속도와 스루풋은 레이턴시를 늘리는 결과를 낳아 전반적인 속도가 떨어질 수 있다. 또한, DDR3은 512 메가비트부터 8 기가비트까지의 칩 용량을 표준으로 지정해 놓고 있다. 따라서 최대 16 기가바이트의 메모리 모듈을 사용할 수 있다.
규격 표준
표준 이름
|
메모리 클럭
(MHz) |
순환 시간
(ns) |
입출력 버스 클럭
(MHz) |
데이터 속도
(MT/s) |
모듈 이름
|
최고 전송 속도
(MB/s) |
타이밍
(CL-nRCD-nRP) |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DDR3-800D DDR3-800E |
100 | 10 | 400 | 800 | PC3-6400 | 6400 | 5-5-5 6-6-6 |
DDR3-1066E DDR3-1066F DDR3-1066G |
133 | 71/2 | 533 | 1066 | PC3-8500 | 8533 | 6-6-6 7-7-7 8-8-8 |
DDR3-1333F* DDR3-1333G DDR3-1333H DDR3-1333J* |
166 | 6 | 667 | 1333 | PC3-10600 | 10667 | 7-7-7 8-8-8 9-9-9 10-10-10 |
DDR3-1600G* DDR3-1600H DDR3-1600J DDR3-1600K |
200 | 5 | 800 | 1600 | PC3-12800 | 12800 | 8-8-8 9-9-9 10-10-10 11-11-11 |
DDR3-1866J* DDR3-1866K DDR3-1866L DDR3-1866M* |
233 | 42/7 | 933 | 1866 | PC3-14900 | 14933 | 10-10-10 11-11-11 12-12-12 13-13-13 |
DDR3-2133K* DDR3-2133L DDR3-2133M DDR3-2133N* |
266 | 33/4 | 1066 | 2133 | PC3-17000 | 17066 | 11-11-11 12-12-12 13-13-13 14-14-14 |
별표(*)는 선택 사항이다.