EPROM
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EPROM(Erasable PROM)은 필요할 때 기억된 내용을 지우고 다른 내용을 기록할 수 있는 롬이다. 지우는 방법에 따라 자외선으로 지울 수 있는 UVEPROM(Ultra-Violet Erasable Programmable Read Only Memory)과 높은 전압으로 지울 수 있는 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)로 나뉜다. 하지만 일반적으로 UVEPROM을 가리킬 때가 많다.
UVEPROM은 1971년 인텔의 엔지니어인 Dov Frohman이 발명했으며 최초의 제품은 인텔 1702A이다.
기록은 floating-gate 트랜지스터에 고전압(보통 12V전후)으로 전자를 주입하여 기록하며 floating-gate는 절연되어 있어서 전원을 꺼도 전자는 보존된어 롬으로 사용할 수 있다. 그러나 여기에 강한 자외선(235nm)을 쬐게되면 전자는 게이트의 절연막을 통과해 기록이 지워지게 된다. 보통 UVEPROM에는 석영유리창이 있어 다른 롬들과는 확연히 구분한다. 기록횟수는 고전압이 실리콘에 영향을 주기때문에 20회전후이며 차광 씰을 잘 부착하여 최적으로 보관한다면 10년정도 데이터 보관이 가능하다고 한다.
UVEPROM은 과거 메인보드, 그래픽카드의 바이오스 칩이나 게임기의 롬으로 많이 사용되었다.
그리고 칩 패키지에서 창을 없앤 UVEPROM을 OTP(one-time programmable)라고 하는데 소거창이 없기 때문에 한번 기록 후 지울 수 없으며 주로 마이크로컨트롤러에서 볼 수 있다.
| EPROM 모델명 | 용량 (비트) | 용량 (바이트) | 길이(hex) | 주소(hex) | 공정 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1702, 1702A | 2 Kbit | 256 | 100 | 000FF | PMOS |
| 2704 | 4 Kbit | 512 | 200 | 001FF | NMOS |
| 2708 | 8 Kbit | 1 KB | 400 | 003FF | NMOS |
| 2716, 27C16 | 16 Kbit | 2 KB | 800 | 007FF | NMOS, CMOS |
| 2732, 27C32 | 32 Kbit | 4 KB | 1000 | 00FFF | NMOS, CMOS |
| 2764, 27C64 | 64 Kbit | 8 KB | 2000 | 01FFF | NMOS, CMOS |
| 27128, 27C128 | 128 Kbit | 16 KB | 4000 | 03FFF | NMOS, CMOS |
| 27256, 27C256 | 256 Kbit | 32 KB | 8000 | 07FFF | NMOS, CMOS |
| 27512, 27C512 | 512 Kbit | 64 KB | 10000 | 0FFFF | NMOS, CMOS |
| 27C010, 27C100 | 1 Mbit | 128 KB | 20000 | 1FFFF | CMOS |
| 27C020 | 2 Mbit | 256 KB | 40000 | 3FFFF | CMOS |
| 27C040 | 4 Mbit | 512 KB | 80000 | 7FFFF | CMOS |
| 27C080 | 8 Mbit | 1 MB | 100000 | FFFFF | CMOS |
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