EPROM

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EPROM

EPROM(Erasable PROM, 삭제 가능한 롬)은 필요할 때 기억된 내용을 지우고 다른 내용을 기록할 수 있는 롬이다. 지우는 방법에 따라 자외선으로 지울 수 있는 UVEPROM(Ultra-Violet Erasable Programmable Read Only Memory)과 높은 전압으로 지울 수 있는 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)로 나뉜다. 하지만 일반적으로 UVEPROM을 가리킬 때가 많다.

UVEPROM은 1971년 인텔의 엔지니어인 Dov Frohman이 발명했으며 최초의 제품은 인텔 1702A이다.

기록은 플로팅 게이트(floating-gate) 트랜지스터에 고전압(보통 12V 전후)으로 전자를 주입하여 기록하며 플로팅 게이트는 절연되어 있어서 전원을 꺼도 전자는 보존되어 롬으로 사용할 수 있다. 그러나 여기에 강한 자외선(234nm)을 쬐게 되면 전자는 게이트의 절연막을 통과해 기록이 지워지게 된다. 보통 UVEPROM에는 석영유리창이 있어 다른 롬들과는 확연히 구분한다. 기록횟수는 고전압이 실리콘에 영향을 주기 때문에 20회 전후이며 차광 씰을 잘 부착하여 최적으로 보관한다면 10년정도 데이터 보관이 가능하다고 한다.

UVEPROM은 과거 메인보드, 그래픽카드바이오스 칩이나 게임기의 롬으로 많이 사용되었다.

그리고 칩 패키지에서 창을 없앤 UVEPROM을 OTP(one-time programmable)라고 하는데 소거창이 없기 때문에 한번 기록 후 지울 수 없으며 주로 마이크로컨트롤러에서 볼 수 있다.

EPROM 모델명 용량 (비트) 용량 (바이트) 길이(hex) 주소(hex) 공정
1702, 1702A 2 Kbit 256 100 000FF PMOS
2704 4 Kbit 512 200 001FF NMOS
2708 8 Kbit 1 KB 400 003FF NMOS
2716, 27C16 16 Kbit 2 KB 800 007FF NMOS, CMOS
2732, 27C32 32 Kbit 4 KB 1000 00FFF NMOS, CMOS
2764, 27C64 64 Kbit 8 KB 2000 01FFF NMOS, CMOS
27128, 27C128 128 Kbit 16 KB 4000 03FFF NMOS, CMOS
27256, 27C256 256 Kbit 32 KB 8000 07FFF NMOS, CMOS
27512, 27C512 512 Kbit 64 KB 10000 0FFFF NMOS, CMOS
27C010, 27C100 1 Mbit 128 KB 20000 1FFFF CMOS
27C020 2 Mbit 256 KB 40000 3FFFF CMOS
27C040 4 Mbit 512 KB 80000 7FFFF CMOS
27C080 8 Mbit 1 MB 100000 FFFFF CMOS