EEPROM
위키백과 ― 우리 모두의 백과사전.
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)는 비휘발성 메모리(NVM, NVRAM)의 하나로 1983년 인텔의 George Perlegos가 개발한 인텔 2816이 첫 제품이었다.
UVEPROM이 자외선을 쏘며 내용을 지우는 반면 EEPROM은 전기적으로만 지울 수 있는 PROM으로 칩의 한 핀에 전기적 신호를 가해줌으로써 내부 데이터가 지워지게 되어 있는 롬이다. 데이터를 삭제하기 위한 전용 이레이저가 따로 필요하지 않으며 하나의 롬 라이터를 사용해서 쓰고 지울 수 있다. 그러나 EEPROM은 전기를 노출시킴으로서 한 번에 1 바이트씩만 지울 수 있기 때문에 플래시 메모리와 비교하면 매우 느리며 다시 기록 횟수에 제한이 있는데 약 10만 번 정도까지만 다시 기록할 수 있다.
EEPROM은 인터페이스에 따라 Serial bus와 Parallel bus로 나뉘는데
- 직렬 버스
- 병렬 버스
- 보통 8비트 데이터 버스로 칩 셀렉트와 쓰기 방지 핀을 가지고 있다.
- 단순하고 빠르게 작동되지만 크기가 크고 핀 수(32개 이상)가 많다.
EEPROM은 모뎀이나 비디오 카드, 메인보드, SCSI 컨트롤러 등에서 사용된다. 모뎀의 경우에는 내부에 사용자가 AT명령을 통해서 설정한 상태가 전원을 껏다 킨 후에도 그대로 유지되는데. 이것은 EEPROM에서 그 상태를 저장해 놓기 때문이다. 대부분의 비디오카드, 메인보드, SCSI 컨트롤러 등에서 EEPROM을 사용해 점퍼없이 설정상태를 저장한다.
|
|
|
|---|---|
| 자기 디스크 | 전축 · 플로피 디스크 · 하드 디스크 |
| 광 디스크 | 레이저 디스크 · 콤팩트 디스크 · 광자기 디스크 · MD · CD-ROM · CD-R · 상변화 디스크 · DVD 블루레이 디스크 · HD DVD |
| 롬 | 마스크 롬 · PROM · EPROM · UVEPROM · EEPROM · 플래시 메모리 |
| 램 | DRAM · SRAM · 플래시 메모리 · FeRAM Z-RAM · TTRAM |
| 비휘발성 메모리 | ROM · PROM · EAROM · EPROM · EEPROM · 플래시 메모리 FeRAM · MRAM · PRAM · SONOS · RRAM · NRAM |
| 테이프 | 자기 테이프 · 천공 테이프 |