오노 히데오

	오노 히데오; 大野英男
출생	1954년 12월 18일(69세); 일본 도쿄도
국적	일본
수상	일본 IBM 과학상(1998년); 국제순수응용물리학연합 자기학상(2003년); 일본 학사원상(2005년); 에사키 레오나상(2016년)
분야	물리학
소속	도호쿠 대학

오노 히데오(일본어: 大野英男, 1954년 12월 18일 ~ )는 일본의 물리학자이며 자성반도체 연구자이다. 도쿄도 출신이며^[1] 2018년 4월부터 도호쿠 대학 총장(제22대)으로 재직하고 있다.^[2]

주요 경력[편집]

1973년 : 홋카이도 삿포로미나미 고등학교 졸업
1977년 : 도쿄 대학 공학부 졸업
1982년 :
- 도쿄 대학 대학원 공학계 연구과 전자공학 전공·박사과정 수료
- 공학박사 학위 취득, 논문 제목은 《Growth of heterojunctions by molecular bean epitaxy and their applications to electron devices》(분자선 에피택시에 의한 이종접합의 성장과 전자 디바이스에의 응용)
- 홋카이도 대학 공학부 강사로 부임
1983년 : 홋카이도 대학 공학부 조교수
1988년 : IBM 왓슨 연구소 객원연구원으로 근무
1994년 : 도호쿠 대학 공학부 교수
1995년 : 도호쿠 대학 전기통신연구소 교수
2018년 : 도호쿠 대학 총장(현재)^[2]

Ikeda, S.; Miura, K.; Yamamoto, H.; Mizunuma, K.; Gan, H. D.; Endo, M.; Kanai, S.; Hayakawa, J.; Matsukura, F.; Ohno, H. (August 2010). “A perpendicular-anisotropy CoFeB–MgO magnetic tunnel junction”. 《Nature Materials》 9: 721–724. Bibcode:2010NatMa...9..721I. doi:10.1038/nmat2804.
Ohno, H.; Chiba, D.; Matsukura, F.; Omiya, T.; Abe, E.; Dietl, T.; Ohno, Y.; Ohtani, K. (2000). “Electric-field control of ferromagnetism”. 《Nature》 408 (6815): 944–946. Bibcode:2000Natur.408..944O. doi:10.1038/408944a.
Ohno, H. (1998). “Making nonmagnetic semiconductors ferromagnetic”. 《Science》 281: 951–956. Bibcode:1998Sci...281..951O. doi:10.1126/science.281.5379.951. PMID 9703503.