다중 문턱 CMOS

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다중 문턱 CMOS, 멀티 스레숄드 CMOS(Multi-Threshold CMOS)는 지연이나 전력을 최적화하기 위해 여러 임계 전압(Vth)의 트랜지스터가 있는 CMOS 기술의 일종이다. MOSFET의 Vth역전층이 절연층(산화물)과 트랜지스터 서브스트레이트(바디) 간 접점에서 형성되는 게이트 전압이다. Vth가 낮은 장치들은 더 빠른 전환이 가능하므로 클럭 시간을 최소화하기 위한 중요한 지연 경로에 유용하다. 단점은 Vth가 낮은 장치들은 정적 유실 전력이 상당히 더 높다는 것이다. Vth가 높은 장치들은 지연 단점을 일으키지 않고 정적 유실 전력을 감소시키기 위한 중요치 않은 경로에 사용된다. Vth가 높은 장치들은 일반적으로 낮은 Vth의 장치들보다 10배까지 정적 유실을 감소시킨다.[1]

다중 문턱 전압의 장치를 만드는 한 방식은 각기 다른 바이어스 전압(Vb)을 트랜지스터의 베이스나 벌크 터미널에 적용하는 것이다. 다른 방식들에는 게이트 산화물의 두께를 조정하는 등의 일이 수반될 수 있다.

각주[편집]

  1. Anis, M.; Areibi; Mahmoud; Elmasry (2002). “Dynamic and leakage power reduction in MTCMOS circuits”. 《Design Automation Conference, 2002》. Proceedings 39th: 480–485. ISBN 1-58113-461-4.