강대원

위키백과, 우리 모두의 백과사전.
이동: 둘러보기, 검색

강대원(姜大元, Dawon David Kahng, 1931년 5월 4일-1992년 5월 13일)은 대한민국의 반도체 물리학자이다.

서울에서 출생했으며, 한국전쟁 기간중에 통역장교로 해병대 복무를 마치고 복학하여 1955년에 서울대학교 물리학과를 졸업하였다.[1] 오하이오 주립대학교 전자공학과에서 1956년에 석사 및 1959년에 박사학위를 받았다. 오하이오 주립대학교에서는 성장중인 산화층을 통과하여 실리콘에 불순물을 확산시키는 연구를 하였다. 1959년부터 벨 연구소에서 근무하였으며, 여기서 1960년에 마틴 아탈라(Martin Mohammed John Atalla)와 공동으로 금속-산화층-반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)을 최초로 개발하였고, 결정성 실리콘 기판에 설치된 강한 전기장 전자 장치(hot electron device)에서 불순물 주입을 연구하였다.

1964년부터는 연구팀을 이끌었는데, 여기서는 고주파 쇼트키 다이오드, 강유전성 반도체, 전하와 결합된 발광물질 등을 연구하였다.

1967년에는 부상 갑문형 비휘발성 반도체 기억장치 (Floating Gate non-volatile semiconductor memory)를 최초로 개발하였다. 1988년에 벨 연구소를 은퇴하고 곧이어 미국 뉴저지 주에 설립된 NEC연구소의 초대소장으로 부임하였다. 1992년 5월 13일 학술대회를 마치고 집으로 돌아오던중 뉴저지 인근 공항에서 대동맥 동맥류(動脈瘤, aneurysm) 파열로 쓰러져 응급수술을 받은 후 합병증으로 사망하였다.[2] 그와 부인 강영희씨 사이에 다섯명의 자녀들 두었다.

미국 전기전자공학회(IEEE), 한국물리학회 종신회원을 지냈으며, 1975년에는 프랭클린 연구소에서 물리분야에 수여하는 스튜어트 밸런타인 메달, 1986년에는 오하이오 주립대학교 공과대학 '자랑스런 졸업생상(Distinguished Alumni Awards)'을 수상하였다. 수십편의 논문과 몇 권의 책을 저술하였으며 수십편의 미국 특허를 얻었다. MOSFET을 최초로 개발한 공로로 2009년에 미국 상무부 산하 특허청의 발명가 명예의 전당(National Inventors Hall of Fame)에 올랐다.

바깥고리[편집]

참고문헌[편집]

  1. IEEE transactions on electron devices, Vol. 23, No. 7, p. 787 (1976).
  2. New York Times, 1992년 5월 28일 section D, 21면.