통합 게이트 정류 사이리스터

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기호

통합 게이트 정류 사이리스터(Integrated Gate Commutated Thyristor, IGCT)는 대용량의 전류를 제어할 수 있는 신형 반도체 소자이다.

GTO와 비슷한 사이리스터의 일종으로, 제어단자(gate) 신호로 켜고 끌 수 있으며 GTO에 비해 전도 손실이 적은 것이 특징이다. 또한 IGCT는 GTO에 비해 조금 더 고속의 스위칭이 가능하다. 최고 400KHz까지의 스위칭이 가능하지만, 변환 손실이 크기 때문에 보통은 500Hz 정도로 스위칭한다.

개발사는 스위스의 ABB이다.

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