에치 피트 밀도

에치 피트 밀도(EPD: Etch Pit Density)란 반도체 웨이퍼의 품질을 평가하는 척도 가운데 하나다.^[1]^[2] 웨이퍼 표면에 에치 용액을 가하면 결정의 전위 부분이 더 빠르게 에칭되며, 그 결과로 그 자리에 피트(패인 자국)가 생긴다. GaAs 웨이퍼는 보통 지르코늄 도가니 안에서 섭씨 450도에서 용융 KOH로 에칭한다. 피트 밀도는 광학 콘트라스트 현미경(optical contrast microscopy)로 측정할 수 있다. 실리콘 웨이퍼는 보통 에치 피트 밀도가 100 cm^-2 미만으로 매우 낮지만 반절연(semi-insulating) GaAs 웨이퍼의 EPD는 거의 10⁵ cm^-2에 달한다.

EPD는 DIN 50454-1과 ASTM F 1404에 의거하여 결정할 수 있다.

각주[편집]

↑ Zhuang, D.; Edgar, J.H. (2005). “Wet etching of GaN, AlN, and SiC: a review”. 《Materials Science and Engineering: R: Reports》 48 (1): 1–46. doi:10.1016/j.mser.2004.11.002. ISSN 0927-796X.
↑ Klaus Graff (2013년 3월 8일). 《Metal Impurities in Silicon-Device Fabrication》. Springer Science & Business Media. 152–쪽. ISBN 978-3-642-97593-6.

[ZhuangEdgar2005-1] Zhuang, D.; Edgar, J.H. (2005). “Wet etching of GaN, AlN, and SiC: a review”. 《Materials Science and Engineering: R: Reports》 48 (1): 1–46. doi:10.1016/j.mser.2004.11.002. ISSN 0927-796X.

[Graff2013-2] Klaus Graff (2013년 3월 8일). 《Metal Impurities in Silicon-Device Fabrication》. Springer Science & Business Media. 152–쪽. ISBN 978-3-642-97593-6.

[1]

[2]