DDR3 SDRAM

전자 공학에서 DDR3 SDRAM은 컴퓨터와 다른 디지털 회로 장치에서 데이터를 빠르게 처리하는 데 쓰이는 램 기술이다. 디램 가운데 하나인 SDRAM계 기술의 일부이며, 이전 기술인 DDR2 SDRAM 제품보다 동작속도, 전력소모 등이 뛰어나다. 삼성전자가 2005년 업계최초로 개발하였다.

DDR3의 주된 이점은 입출력 버스를 메모리 셀의 속도보다 4배나 빠르게 동작할 수 있다는 점이며, 이로써 이전의 메모리 기술보다 더 빠른 버스 속도를 구현할 수 있다. 다만 더 빠른 버스 속도와 스루풋은 레이턴시를 늘리는 결과를 낳아 전반적인 속도가 떨어질 수 있다. 또한, DDR3은 512 메가비트부터 8 기가비트까지의 칩 용량을 표준으로 지정해 놓고 있다. 따라서 최대 16 기가바이트의 메모리 모듈을 사용할 수 있다.

규격 표준

표준 이름	메모리 클럭	순환 주기	입출력 버스 클럭	초당 데이터 전송률	모듈 이름	최대 전송률
DDR3-800	100 MHz	10 ns	400 MHz	800,000,000	PC3-6400	6400 MB/초
DDR3-1066	133 MHz	7.5 ns	533 MHz	1,066,000,000	PC3-8500	8533 MB/초
DDR3-1333	166 MHz	6 ns	667 MHz	1,333,000,000	PC3-10600	10667 MB/초[1]
DDR3-1600	200 MHz	5 ns	800 MHz	1,600,000,000	PC3-12800	12800 MB/초

같이 보기

• DDR2 SDRAM
• 듀얼 채널
• FB-DIMM

바깥 고리

• JEDEC DDR3 표준 JESD79-3