자기 저항 메모리

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자기 저항 메모리(Magnetoresistive random-access memory, MRAM, 엠램)는 비휘발성 컴퓨터 메모리 기술이며 1990년대부터 개발이 진행 중이다. 현재의 메모리, 특히 플래시 램디램의 밀도가 꾸준히 늘어나면서, 시장에서 MRAM은 틈새 제품이라는 위치를 벗어나지 못하였다. 그러나 MRAM을 지지하는 사람들은 MRAM의 뛰어난 이점 때문에 MRAM이 결국 시장을 지배하여 유니버설 메모리가 될 것으로 믿고 있다.[1] 에버스핀에서 생산 중이며 글로벌파운드리삼성을 포함한 다른 기업들은 제품 계획을 발표하였다.[2][3]

응용[편집]

MRAM을 사용하는 장치나 환경은 다음과 같다:

같이 보기[편집]

각주[편집]

  1. Akerman, J. (2005). “APPLIED PHYSICS: Toward a Universal Memory”. 《Science》 308 (5721): 508–510. PMID 15845842. doi:10.1126/science.1110549. 
  2. “GF Debuts 7nm, Embedded MRAM”. 
  3. “FDSOI to Get Embedded MRAM, Flash Options at 28nm”.