90 nm 공정

반도체 제조 공정
10 µm : 1971년 3.0 µm : 1975년 1.5 µm : 1982년 1.0 µm : 1985년 800 nm (0.80 µm) : 1989년 600 nm (0.60 µm) : 1994년 350 nm (0.35 µm) : 1995년 250 nm (0.25 µm) : 1998년 180 nm (0.18 µm) : 1999년 130 nm (0.13 µm) : 2000년 90 nm : 2002년 65 nm : 2006년 45 nm : 2008년 32 nm : 2010년 22 nm : 2011년

90 nm(나노미터) 공정은 회로선 폭이 90 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 인텔, AMD, 인피니온 테크놀로지스, 텍사스 인스트루먼트, IBM, TSMC와 같은 대부분의 주요 반도체 기업이 2002년에서 2003년 경 도달한 CMOS 공정 기술의 수준이다.

예제: 엘피다 90 nm DDR2 SDRAM 공정

• 300 mm 웨이퍼 크기를 사용한다.
• 광학 근접 보정을 채용한 KrF (248 nm) 리소그래피을 사용한다.
• 512 메가비트
• 1.8 V 전압
• 110 nm 이전의 유도체와 100 nm 공정

90 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서

• 2004년 IBM PowerPC G5 970FX
• 2005년 IBM PowerPC G5 970MP
• 2005년 IBM PowerPC G5 970GX
• 2005년 IBM 엑스박스 360 프로세서 Waternoose
• 2005년 IBM, 소니, 도시바 셀 프로세서
• 2004년 02월 인텔 펜티엄 4 프레스캇
• 2004년 05월 인텔 셀러론 D 프레스캇-256
• 2004년 05월 인텔 펜티엄 M 도선
• 2004년 08월 인텔 셀러론 M 도선-1024
• 2004년 06월 인텔 제온 노코나, 어윈데일, 크랜포드, 포토맥, 팍스빌
• 2005년 05월 인텔 펜티엄 D 스미스필드
• 2004년 10월 AMD 애슬론 64 윈체스터, 베니스, 샌 디에고, 올리언스
• 2005년 05월 AMD 애슬론 64 X2 맨체스터, 톨레도, 윈저
• 2004년 08월 AMD 셈프론 팔레르모, 마닐라
• 2005년 03월 AMD 튜리온 64 랭커스터, 리치몬드
• 2006년 05월 AMD 튜리온 64 X2 테일러, 트리니다드
• 2005년 08월 AMD 옵테론 비너스, 트로이, 아테네
• AMD 듀얼 코어 옵테론 덴마크, 이탈리아, 이집트, 산타 아나, 산타 로사.
• 2005년 05월 비아 C7
• 2007년 04월 Loongson (Godson) 2Е STLS2E02
• 2008년 07월 Loongson (Godson) 2F STLS2F02
• 2010년 12월 MCST-4R

바깥 고리

• (영어) PC World Review
• (영어) Review ITworld
• (영어) AMD
• (영어) Fujitsu
• (영어) Intel
• (영어) August, 인텔 배포 2002