90 nm 공정

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반도체 제조 공정
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90 nm(나노미터) 공정은 회로선 폭이 90 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 인텔, AMD, 인피니온 테크놀로지스, 텍사스 인스트루먼트, IBM, TSMC와 같은 대부분의 주요 반도체 기업이 2002년에서 2003년경 도달한 CMOS 공정 기술의 수준이다.

예제: 엘피다 90 nm DDR2 SDRAM 공정[1][편집]

  • 300 mm 웨이퍼 크기를 사용한다.
  • 광학 근접 보정을 채용한 KrF (248 nm) 리소그래피을 사용한다.
  • 512 메가비트
  • 1.8 V 전압
  • 110 nm 이전의 유도체와 100 nm 공정

90 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서[편집]

주석[편집]

  1. Elpida's presentation at Via Technology Forum 2005 and Elpida 2005 Annual Report

바깥 고리[편집]