65 nm 공정

반도체 제조 공정
10 µm : 1971년 3.0 µm : 1975년 1.5 µm : 1982년 1.0 µm : 1985년 800 nm (0.80 µm) : 1989년 600 nm (0.60 µm) : 1994년 350 nm (0.35 µm) : 1995년 250 nm (0.25 µm) : 1998년 180 nm (0.18 µm) : 1999년 130 nm (0.13 µm) : 2000년 90 nm : 2002년 65 nm : 2006년 45 nm : 2008년 32 nm : 2010년 22 nm : 2011년

65 nm(나노미터) 공정은 회로선 폭이 65 nm인 반도체를 다루는 CMOS 공정 기술 수준이다. 2007년 9월 경 인텔, AMD, IBM, 유나이티드 마이크로일렉트로닉스, 차터드, TSMC와 같은 반도체 기업들이 달성하였다.

예제: 후지쯔의 65 nm 공정

• 게이트 길이: 30 nm에서 50 nm까지
• 코어 전압: 1.0 V
• 11 Cu interconnect layers using nano-clustering silica as ultralow k dielectric (k=2.25)
• 메탈 1 피치: 180 nm
• 니켈 실리사이드 소스/드레인
• 게이트의 산화물 두께: 1.9 nm (n형), 2.1 nm (p형)

65 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서

• 2006년 01월 16일 인텔 펜티엄 4 (시더밀)
• 2006년 01월 16일 인텔 펜티엄 D 900-계열
• 2006년 05월 28일 인텔 셀러론 D (시더밀 코어)
• 2006년 01월 05일 인텔 코어
• 2006년 07월 27일 인텔 코어 2
• 2006년 03월 14일 인텔 제온 (소사만)
• 2007년 02월 20일 AMD 애슬론 64 계열 (리마부터)
• 2007년 05월 07일 AMD 튜리온 64 X2 계열 (테일러부터)
• AMD 페넘 계열
• 2007년 11월 17일 IBM 셀 프로세서 - 플레이스테이션 3
• IBM z10
• 2007년 09월 마이크로소프트 엑스박스 360 팔콘 CPU
• 2008년 마이크로소프트 엑스박스 360 오퍼스 CPU
• 2008년 10월 마이크로소프트 엑스박스 360 제스퍼 CPU
• 2008년 10월 마이크로소프트 엑스박스 360 제스퍼 GPU
• 2007년 10월 썬 마이크로시스템즈 UltraSPARC T2
• 2008년 06월 AMD 튜리온 울트라
• 2008년 02월 텍사스 인스트루먼트 OMAP 3 계열
• 2008년 05월 비아 나노
• 2009년 Loongson

바깥 고리

• (영어) “Intel to cut Prescott leakage by 75% at 65nm”, 《The Register》, 2004년 8월 31일 작성. 2011년 8월 18일 확인.
• (영어) Engineering Sample of the "Yonah" core Pentium M, IDF Spring 2005, ExtremeTech
• (영어) “AMD's 65 nano silicon ready to roll”, 《The Inquirer》, 2005년 9월 2일 작성. 2011년 8월 18일 확인.