다이 시링크

반도체 제조 공정
10 µm : 1971년 3.0 µm : 1975년 1.5 µm : 1982년 1.0 µm : 1985년 800 nm (0.80 µm) : 1989년 600 nm (0.60 µm) : 1994년 350 nm (0.35 µm) : 1995년 250 nm (0.25 µm) : 1998년 180 nm (0.18 µm) : 1999년 130 nm (0.13 µm) : 2000년 90 nm : 2002년 65 nm : 2006년 45 nm : 2008년 32 nm : 2010년 22 nm : 2011년

다이 시링크(die shrink)는 반도체 소자, 주로 트랜지스터의 단순 반도체 공정을 가리키는 낱말이다.

하프 시링크

하프 시링크

기본 ITRS 노드	스톱갭(Stopgap) 하프노드(half-node)
180 nm	150nm
130nm	110nm
90nm	80nm
65nm	55nm
45nm	40nm
32nm	28nm
22nm	20nm
16nm	14nm
11nm	10nm

같이 보기

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